单片集成的高速直调分布反馈激光器阵列
【文章页数】:154 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1-11(a)偏置量子阱,(b)量子阱混杂,(c)对接再生长,(d)选择区域生长,(e)垂直双波导结构
集成光芯片的实现,通常需要多种外延结构,实现对器件性能的最优化。激光器有源区需要对量子阱的结构和厚度进行优化,比如高速调制激光器需要高的增益系数,放大器需要低的光场限制因子,而光合波器件则需要好的光场限制、小的波导损耗。激光器部分采用了有源量子阱的芯层结构,由于有源波导会对激光器....
图1-12量子阱混杂技术的制作示意图
一种是偏置量子阱结构,在激光器有源区量子阱下面预先放置无源芯层,偏置量子阱的结构如图1-11(a)所示。激光器有源区与无源波导之间间隔很小,有源无源对接的位置可以实现光场直接过渡。该方案只需要去掉无源部分的量子阱后,整个外延片上直接生长InP的上盖层,不需要再生长无源波导层,工艺....
图1-13对接再生长结构的制作工艺步骤
采用对接再生长技术实现有源无源的集成,制作步骤如图1-13所示。完成量子阱生长后的外延片上,光刻制作掩膜去除无源部分的量子阱芯层,采用金属气相沉积(Metalorganicchemicalvapordeposition,MOCVD)在量子阱芯层的同一高度生长无源波导芯层,....
图1-14(a)减少反射的切角型MMI示意图,(b)采用MMI实现合波的激光器阵列[95]
多模干涉耦合器(Multi-modeinterferometer,MMI)是基于自成像原理[92],由于其对波长不敏感的特性,适合于激光器阵列的合波输出,制作工艺比较简单,制作时容差比较大。但是MMI合波激光器阵列会造成比较大的插入损耗,输出功率较低,并且MMI的通道数越高,插....
本文编号:4005952
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