β-Ga 2 O 3 的MOCVD生长及其日盲紫外探测器的研究
发布时间：2021-09-09 19:29
β-Ga2O3作为一种新型的宽禁带半导体材料,不仅具有超宽的带隙和高耐压、低损耗特性,而且具有很好的化学和热稳定性,这使其在高功率器件以及日盲紫外探测器等方面具有广阔的应用前景。目前,β-Ga2O3材料的研究还处于初期阶段,针对β-Ga2O3材料的制备和相关性质研究还不够系统和深入。尤其是β-Ga2O3薄膜质量不高,限制了其在半导体器件上的应用。此外,β-Ga2O3的掺杂研究进展缓慢。虽然n型掺杂取得了一些进展,但仍需进一步研究以改善其电学性能,且β-Ga2O3的p型掺杂仍然是一个难题。本论文针对目前β-Ga2O3材料的研究热点和难点问题,采用高温氧化物MOCVD系统,围绕β-Ga2O3薄膜和一维纳米材料的生长、β-Ga2
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：144 页
【学位级别】：博士
【图文】：
Ga2O3同分异构体间的结构转变
β-Ga2O3晶胞结构图：(1)为c轴方向，(2)为a轴方向，(3)为b轴方向在这几种同分异构体中，研究比较多的是-GaO和β-GaO，尤其是
图 1.3 历年氧化镓相关文章发表数量统计β-Ga2O3薄膜的研究进展004 年，H.W. Kim 等人采用 MOCVD 工艺在蓝宝石衬底上生长了 衬底温度为 550 ℃。退火前后的 XRD 的测试结果如图 1.4 所示[49]看出，未退火前薄膜呈非晶态，经 1050 ℃退火后出现较多的衍射峰分别来自 -Ga2O3和 β-Ga2O3。
【参考文献】：
期刊论文
[1]Electronic structures and optical properties of Zn-dopedβ-Ga2O3 with different doping sites[J]. 李超,闫金良,张丽英,赵刚. Chinese Physics B. 2012(12)
[2]Electronic structure and optical properties of N-Zn co-doped-Ga2O3[J]. YAN JinLiang * & ZHAO YinNv School of Physics,Ludong University,Yantai 264025,China. Science China（Physics,Mechanics & Astronomy）. 2012(04)
[3]High Purity and Large-scale Preparation of β-Ga2O3 Nanowires and Nanosheets by CVD and Their Raman and Photoluminescence Characteristics[J]. YU Zhou1, YANG Zhi-mei2, CHEN Hao1, WU Zhan-wen1, JIN Yong1, JIAO Zhi-feng1, HE Yi3, WANG Hui3, LIU Jun-gang4, GONG Min2, SUN Xiao-song1 (1. Department of Materials Science; 2. Key Lab of Microelectronics and Technology; 3. Analytical and Testing Center, Sichuan University, Chengdu 610064, CHN; 4. Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, CHN). Semiconductor Photonics and Technology. 2007(02)
博士论文
[1]氧化镓基光电探测器的研制与研究[D]. 崔书娟.中国科学院大学(中国科学院物理研究所) 2018
[2]Ga2O3异质结及Au纳米颗粒复合增强的日盲紫外探测器研究[D]. 安跃华.北京邮电大学 2017
[3]同质外延氧化镓薄膜和铝铟氧薄膜的制备及性质研究[D]. 杜学舰.山东大学 2017
[4]氮掺杂氧化镓薄膜为过渡层制备氮化镓纳米线及其探测器[D]. 孙瑞.哈尔滨工业大学 2015
硕士论文
[1]Ga2O3薄膜的高温MOCVD生长与紫外探测器制备研究[D]. 马征征.吉林大学 2017
[2]氧化镓异质外延薄膜结构与性质的关系研究[D]. 夏勇.电子科技大学 2016
本文编号：3392652
【文章来源】：吉林大学吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：144 页
【学位级别】：博士
【图文】：
Ga2O3同分异构体间的结构转变
β-Ga2O3晶胞结构图：(1)为c轴方向，(2)为a轴方向，(3)为b轴方向在这几种同分异构体中，研究比较多的是-GaO和β-GaO，尤其是
图 1.3 历年氧化镓相关文章发表数量统计β-Ga2O3薄膜的研究进展004 年，H.W. Kim 等人采用 MOCVD 工艺在蓝宝石衬底上生长了 衬底温度为 550 ℃。退火前后的 XRD 的测试结果如图 1.4 所示[49]看出，未退火前薄膜呈非晶态，经 1050 ℃退火后出现较多的衍射峰分别来自 -Ga2O3和 β-Ga2O3。
【参考文献】：
期刊论文
[1]Electronic structures and optical properties of Zn-dopedβ-Ga2O3 with different doping sites[J]. 李超,闫金良,张丽英,赵刚. Chinese Physics B. 2012(12)
[2]Electronic structure and optical properties of N-Zn co-doped-Ga2O3[J]. YAN JinLiang * & ZHAO YinNv School of Physics,Ludong University,Yantai 264025,China. Science China（Physics,Mechanics & Astronomy）. 2012(04)
[3]High Purity and Large-scale Preparation of β-Ga2O3 Nanowires and Nanosheets by CVD and Their Raman and Photoluminescence Characteristics[J]. YU Zhou1, YANG Zhi-mei2, CHEN Hao1, WU Zhan-wen1, JIN Yong1, JIAO Zhi-feng1, HE Yi3, WANG Hui3, LIU Jun-gang4, GONG Min2, SUN Xiao-song1 (1. Department of Materials Science; 2. Key Lab of Microelectronics and Technology; 3. Analytical and Testing Center, Sichuan University, Chengdu 610064, CHN; 4. Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, CHN). Semiconductor Photonics and Technology. 2007(02)
博士论文
[1]氧化镓基光电探测器的研制与研究[D]. 崔书娟.中国科学院大学(中国科学院物理研究所) 2018
[2]Ga2O3异质结及Au纳米颗粒复合增强的日盲紫外探测器研究[D]. 安跃华.北京邮电大学 2017
[3]同质外延氧化镓薄膜和铝铟氧薄膜的制备及性质研究[D]. 杜学舰.山东大学 2017
[4]氮掺杂氧化镓薄膜为过渡层制备氮化镓纳米线及其探测器[D]. 孙瑞.哈尔滨工业大学 2015
硕士论文
[1]Ga2O3薄膜的高温MOCVD生长与紫外探测器制备研究[D]. 马征征.吉林大学 2017
[2]氧化镓异质外延薄膜结构与性质的关系研究[D]. 夏勇.电子科技大学 2016
本文编号：3392652
本文链接：https://www.wllwen.com/shoufeilunwen/xxkjbs/3392652.html
