基于打印银电极的氧化物薄膜晶体管及相关研究

发布时间：2021-09-15 13:02

　　随着新型显示面板技术向超大面积和超高清方向的快速发展,开发低成本高性能器件印刷制备技术成为关键。印刷银电极材料具有高电导和低成本等优势,结合金属氧化物薄膜晶体管（MOS-TFT）高迁移率、低工艺温度和大面积均匀的优点,可以满足显示行业对低成本、低阻抗和低信号延迟的迫切需求。因此,研究印刷高导银电极MOS-TFT对推动显示行业技术的发展具有重要意义。本论文通过薄膜表面形貌调控、器件界面设计和工艺优化,突破了打印银电极与MOS-TFT的工艺兼容和界面接触不佳等难点,获得了高性能打印银电极MOS-TFT器件,并探索了高精度电极新型打印工艺。主要研究成果如下:（1）研究了固化工艺对喷墨打印银电极薄膜表面形貌的影响,利用银纳米颗粒对紫外（UV）光的强吸收作用,获得了表面起伏小的大面积高均匀性打印银薄膜。研究表明打印银电极的多孔结构易导致高能溅射绝缘层粒子向电极内部扩散,造成银底栅器件绝缘层有效厚度减少和缺陷态增加,导致绝缘层沉积质量下降。通过在栅电极和半导体之间引入PVP有机阻挡层,部分修复了打印银电极表面多孔结构,减小了表面粗糙度,保证了后续绝缘层薄膜沉积质量。制备的打印银栅电极非晶氧化铟镓锌... 

【文章来源】：华南理工大学广东省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：130 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

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第一章绪论3印电极制备高性能MOS-TFT展开相关研究。图1-2传统光刻工艺和印刷工艺流程对比Figure1-2Comparisonbetweentraditionalphotolithographyandinkjetprintprocesses1.2MOS-TFT介绍1.2.1氧化物薄膜晶体管的优势图1-3展示了不同分辨率和刷新率条件下大面积显示器件对TFT驱动迁移率大小的需求，可以看出，高分辨率和高刷新率显示器件对于薄膜晶体管的迁移率提出了更高的要求。迁移率是指单位电场强度下载流子的平均漂移速度，是评估薄膜晶体管器件性能的一个重要参数。图1-3分辨率和刷新率对TFT迁移率的要求[3]Figure1-3RequirementofTFTmobilityfordifferentresolutionsandframerates[3]

第一章绪论3印电极制备高性能MOS-TFT展开相关研究。图1-2传统光刻工艺和印刷工艺流程对比Figure1-2Comparisonbetweentraditionalphotolithographyandinkjetprintprocesses1.2MOS-TFT介绍1.2.1氧化物薄膜晶体管的优势图1-3展示了不同分辨率和刷新率条件下大面积显示器件对TFT驱动迁移率大小的需求，可以看出，高分辨率和高刷新率显示器件对于薄膜晶体管的迁移率提出了更高的要求。迁移率是指单位电场强度下载流子的平均漂移速度，是评估薄膜晶体管器件性能的一个重要参数。图1-3分辨率和刷新率对TFT迁移率的要求[3]Figure1-3RequirementofTFTmobilityfordifferentresolutionsandframerates[3]


本文编号：3396130