三维毫米波系统集成中的封装滤波器设计
发布时间：2021-12-31 01:51
自上世纪九十年代以来,三维毫米波系统级封装越来越受到学者和工业界的关注。三维毫米波系统级封装具备多功能、小型化、低成本等特点,是目前备受国际关注的主流技术之一。滤波器作为毫米波系统中重要的无源器件,提高其自封装效果对于进一步提升系统的集成度和工作性能极有帮助。折叠SIW、四分之一模SIW具有小型化、低损耗等优点,易于设计自封装器件应用于三维毫米波系统级封装。本文基于低剖面、低损耗、易于集成的SIW谐振器,提出了多款具有自封装效果的封装滤波器结构,并且以苯丙环丁烯（BCB）为介质利用MEMS工艺加工验证。同时在研发封装滤波器过程中提出了一些通用的设计方法。本论文的主要工作和创新点可归纳如下:（1）根据消逝模模波导滤波器理论,以折叠SIW谐振器为主体,设计了一个Ka波段的封装滤波器,通过在开路边旁路加载带状线枝节实现了多个传输零点。文中给出了滤波器的等效电路模型,验证了该传输零点设计理论并用于指导滤波器设计。通过单独调节每个加载的开路枝节长度实现了N个独立可调的传输零点,并且依靠简单的配套参数保证调节传输零点的过程中滤波器带内驻波水平不变。（2）提出了一种可以在经典切比雪夫滤波器基础上增加...
【文章来源】：上海交通大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：136 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
SOP技术的典型结构图[8]
第一章绪论-5-侧视图如图1-3所示[44]。2007年，密歇根大学的Tae-youngChoi将一个10GHz的消逝模腔体滤波器制作在高阻硅晶圆上，并且与CMOS接收器芯片通过跳线连接（wirebonding）实现三维集成，如图1-4和图1-5所示[45]。硅基MEMS封装滤波器与集成电路工艺兼容，是三维毫米波系统级封装的可选方案之一。图1-2微加工硅基腔体滤波器的侧视图[41]Fig.1-2Sideviewofthefilter[41]图1-3两个高隔离的自封装滤波器侧视图[44]Fig.1-3Sideviewoftwoself-packagedfitlerwithhigh-levelisolation[44]图1-4硅基腔体滤波器与CMOS芯片的集成细节图[45]Fig.1-4IntegrationofaSillicon-basefilterandCMOSchips[45]
第一章绪论-5-侧视图如图1-3所示[44]。2007年，密歇根大学的Tae-youngChoi将一个10GHz的消逝模腔体滤波器制作在高阻硅晶圆上，并且与CMOS接收器芯片通过跳线连接（wirebonding）实现三维集成，如图1-4和图1-5所示[45]。硅基MEMS封装滤波器与集成电路工艺兼容，是三维毫米波系统级封装的可选方案之一。图1-2微加工硅基腔体滤波器的侧视图[41]Fig.1-2Sideviewofthefilter[41]图1-3两个高隔离的自封装滤波器侧视图[44]Fig.1-3Sideviewoftwoself-packagedfitlerwithhigh-levelisolation[44]图1-4硅基腔体滤波器与CMOS芯片的集成细节图[45]Fig.1-4IntegrationofaSillicon-basefilterandCMOSchips[45]
【参考文献】：
期刊论文
[1]系统级封装（SiP）技术研究现状与发展趋势[J]. 胡杨,蔡坚,曹立强,陈灵芝,刘子玉,石璐璐,王谦. 电子工业专用设备. 2012(11)
博士论文
[1]3D封装工艺及可靠性研究[D]. 李操.华中科技大学 2015
[2]基片集成波导与缺陷地结构及在滤波器设计中的应用研究[D]. 吴林晟.上海交通大学 2010
本文编号：3559399
【文章来源】：上海交通大学上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：136 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
SOP技术的典型结构图[8]
第一章绪论-5-侧视图如图1-3所示[44]。2007年，密歇根大学的Tae-youngChoi将一个10GHz的消逝模腔体滤波器制作在高阻硅晶圆上，并且与CMOS接收器芯片通过跳线连接（wirebonding）实现三维集成，如图1-4和图1-5所示[45]。硅基MEMS封装滤波器与集成电路工艺兼容，是三维毫米波系统级封装的可选方案之一。图1-2微加工硅基腔体滤波器的侧视图[41]Fig.1-2Sideviewofthefilter[41]图1-3两个高隔离的自封装滤波器侧视图[44]Fig.1-3Sideviewoftwoself-packagedfitlerwithhigh-levelisolation[44]图1-4硅基腔体滤波器与CMOS芯片的集成细节图[45]Fig.1-4IntegrationofaSillicon-basefilterandCMOSchips[45]
第一章绪论-5-侧视图如图1-3所示[44]。2007年，密歇根大学的Tae-youngChoi将一个10GHz的消逝模腔体滤波器制作在高阻硅晶圆上，并且与CMOS接收器芯片通过跳线连接（wirebonding）实现三维集成，如图1-4和图1-5所示[45]。硅基MEMS封装滤波器与集成电路工艺兼容，是三维毫米波系统级封装的可选方案之一。图1-2微加工硅基腔体滤波器的侧视图[41]Fig.1-2Sideviewofthefilter[41]图1-3两个高隔离的自封装滤波器侧视图[44]Fig.1-3Sideviewoftwoself-packagedfitlerwithhigh-levelisolation[44]图1-4硅基腔体滤波器与CMOS芯片的集成细节图[45]Fig.1-4IntegrationofaSillicon-basefilterandCMOSchips[45]
【参考文献】：
期刊论文
[1]系统级封装（SiP）技术研究现状与发展趋势[J]. 胡杨,蔡坚,曹立强,陈灵芝,刘子玉,石璐璐,王谦. 电子工业专用设备. 2012(11)
博士论文
[1]3D封装工艺及可靠性研究[D]. 李操.华中科技大学 2015
[2]基片集成波导与缺陷地结构及在滤波器设计中的应用研究[D]. 吴林晟.上海交通大学 2010
本文编号：3559399
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