二维材料异质结的磁电输运特性研究
【文章页数】:102 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1.2?h-BN晶体结构示意图M??4??
电子和空穴赝自旋极化方向相反,赝自旋??极化率高达95%#],进一步扩大了黑磷的应用范围及前景。尽管黑磷展现出诸多??优势,但它在空气中易氧化,环境稳定性较差等问题,是黑磷产业化之路上必须??跨越的技术壁垒。目前,研宂人员证明,化学元素掺杂或化学离子表面修饰等手??段可以在不降低....
图1.3由IV族元素和m-V族元素构成的44种不同种类MX2化合物【65】??
?第1章绪?论???3.过渡金属二硫化物(TMDs)??TMDs是表现最为突出的二维材料体系之一。TMDs指一大类材料,化学通??式为MX2,其中M指过渡金属原子(Mo、W、Pt、Re等),X指硫族元素原子(S、??Se、Te)。TMDs的组成元素如图1.3所示,每一层TMDs由....
图1.4?(a)单层TMD的两种类晶体结构、(b)常见TMDs的电学特征lM〗??
?第1章绪?论???3.过渡金属二硫化物(TMDs)??TMDs是表现最为突出的二维材料体系之一。TMDs指一大类材料,化学通??式为MX2,其中M指过渡金属原子(Mo、W、Pt、Re等),X指硫族元素原子(S、??Se、Te)。TMDs的组成元素如图1.3所示,每一层TMDs由....
图1.5CrI3隧道结示意图和磁电阻效应【79】??经过不懈努力,目前人们分别在Cr2Ge2Se6[2Q]、MnSe2_、CrX(Si或Ge)Te3、??
?第1章绪?论???料对电子的散射作用较强,此时通过器件的电流很小,因而整个器件呈现高阻态;??若不断增大磁场至两层材料磁矩平行排列,此时携带相同取向自旋的电子可以顺??利通过两层薄膜,整个器件呈现低阻态,如图1.5所示[7(^78]。实验发现利用单一??Crlr薄膜制备的器件可....
本文编号:3997274
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