杭州士兰微电子决定斥资在成阿工业园建设士兰西部LED半导体芯片制造基地

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杭州士兰微电子决定斥资在成阿工业园建设士兰西部LED半导体芯片制造基地——成都士兰半导体制造有限公司 来源：发布日期：2010-12-15

杭州士兰微电子决定斥资在成阿工业园建设士兰西部LED半导体芯片制造基地——成都士兰半导体制造有限公司杭州士兰微电子股份有限公司13日晚间发布公告，根据公司2010年1月28日召开的2010年第一次临时股东大会上审议通过的《关于公司向特定对象非公开发行股票方案的议案》、《关于非公开发行股票募集资金使用的可行性报告的议案》、《关于公司非公开发行股票预案的议案》、《关于提请股东大会授权董事会全权办理本次非公开发行股票相关事项的议案》等与2010年度非公开发行相关的议案，公司拟用募集资金向承担募投项目之“高亮度LED芯片生产线扩产项目”的杭州士兰明芯科技有限公司(以下简称“士兰明芯”)增资10,000万元。

　　截至本次增资前，公司已使用募集资金向士兰明芯增资20,000万元。目前士兰明芯注册资本为40,000万元，本次增资后士兰明芯注册资本将增至50,000万元，本公司持有其100%的股份。


　　就在上个月18日，杭州士兰微电子股份有限公司基于发展的要求，，在对投资环境、政务服务等进行综合分析后，决定斥资在成阿工业园建设士兰西部LED半导体芯片制造基地——成都士兰半导体制造有限公司。据了解，项目预计2012年建成投产，重点发展LED芯片制造、封装、高压集成电路和功率半导体芯片制造、功率模块封装四项业务。

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