TK微电子学杂志社编辑部

发布时间：2016-05-19 06:09

  本文关键词：微电子学杂志，由笔耕文化传播整理发布。

微电子学杂志社/杂志简介 《微电子学》（双月刊）1971年创刊，是技术类期刊。传播、普及、推广微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路,集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。 微电子学收录情况/影响因子 国家新闻出版总署收录　维普网、万方数据库、知网数据库、文摘杂志、化学文摘（网络版）、哥白尼索引、剑桥科学文摘、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、物理学、电技术、计算机及控制信息数据库、日本科学技术振兴机构中国文献数据库收录

1、中文核心期刊：

1996-2011年连续5届中文核心期刊（中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011)）

2、CSCD中国科学引文数据库来源期刊（2013-2014年度）（含扩展版）

3、中国科技论文统计源期刊（中国科技核心期刊）

4、数据：MARC数据、DC数据

5、图书馆藏：国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏

6、影响因子：

截止2014年万方：影响因子：0.276；总被引频次：539

截止2014年知网：复合影响因子：0.349；综合影响因子：0.239

7、微电子学杂志荣誉：

中文核心期刊

信息产业部优秀电子科技期刊

中国期刊方阵双效期刊

8、偏重的研究方向：半导体电子器件、半导体科学与信息器件、信息科学

9、投稿录用比例：100%

10、审稿速度：平均3个月的审稿周期 微电子学栏目设置 综合评述、研究论文、技术报告、产品应用。 微电子学编辑部/杂志社投稿须知 1.内容：立意新颖，，观点明确，内容充实，论证严密，语言精炼，资料可靠，能及时反映所研究领域的最新成果。本刊尤为欢迎有新观点、新方法、新视角的稿件和专家稿件。

2.格式必备与顺序：标题、作者、作者单位、摘要、关键词、正文、注释或参考文献。篇幅以2200-8800字为宜。2200字左右为1个版面。

3.请在来稿末尾附上作者详细通讯地址。包括：收件人所在地的省、市、区、街道名称、邮政编码、联系电话、电子信箱、代收人的姓名以及本人要求等，务必准确。论文有图表的，请保证图片和表格的清晰，能和文字对应。

4.本刊实行无纸化办公，来稿一律通过电子邮件（WORD文档附件）或QQ发送，严禁抄袭，文责自负，来稿必复，来稿不退，10日未见通知可自行处理。

5.本刊来稿直接由编辑人员审阅，疑难重点稿件送交相关专家审阅，本刊坚持“公平、公正、公开、客观”的审稿原则，实行“三审三校”制度。

6.来稿一经采用，杂志社将发出《用稿通知单》，出刊迅速，刊物精美，稿件确认刊载后，赠送当期杂志1册。 微电子学同类优质期刊(排名不分先后)

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《学术杂志网》杂志发表公告：
    1、审稿快：《微电子学杂志》内部审稿通道为1-7天，大大缩短了投、审、刊的时间；
    2、发刊快：凡是在本站编辑部投稿并确定录用的稿件，可享受1-4个月见刊；
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    5、送期刊：凡是在本站投稿的作者，均可免费获得《微电子学》杂志一本；
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《学术杂志网》杂志发表声明:
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《学术杂志网》期刊发表流程:
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答:由客户确定类型，由本站为客户根据期刊排版日期、收费情况来推荐给客户，价格可以适当下调，并且出稿的速度会更快。

2.发表的信用有保证吗？

答:学术杂志网建站7年以来，各方面取得了非常的业绩，开通了支付宝信认商家服务，可以担保交易；网银在线支付是首批2005年用户；所有的银行卡号都是2004年注册的；付款可以支付到对工帐户(工商银行)。如果有欺骗行为，所有的收款方式都早就被注销了。

3.你们的网站有退款服务吗？

答:请客户保留汇款凭证。由本站发表的文章，如果没有按期发表，由本站全额退还客户支付的费用。

4.什么是国家级、省级、核心期刊

答:“国家级”期刊，即由党中央、国务院及所属各部门，或中国科学院、中国社会科学院、各民主党派和全国性人民团体主办的期刊及国家一级专业学会主办的会刊。“省级”期刊即由各省、自治区、直辖市及其所属部、委办、厅、局主办的期刊以及由各本、专科院校主办的学报（刊）。核心期刊是学术界通过一整套科学的方法，对于期刊质量进行跟踪评价，并以情报学理论为基础，将期刊进行分类定级，把最为重要的一级称之为核心期刊。

5.一般多长时间能够发表？

答:根据客户的要求和选择的期刊类型不同，而且编辑部也有审稿、发稿等时间安排，《中外文摘》一般是1－4个月见刊，不排除有更长久的时间，建议有需求的用户一般提前2个月就开始提交业务比较理想。

6.我可以随时跟踪进展情况吗？

答:当然，我们的每一位客户，都会分配一名专职的客服经理为你全程负责，随时通报进展情况。

7.是否可以真的做到100%发表？

答:一般来说，可以做到98%以上准时发表，如果编辑手里需要发表的文章已经比较多的时候，就会推迟一些。如果稿件质量确实较差，我们的专业老师会帮助你修改一下。该期刊特别忙的话，在征得客户你的同意后，可以免费更换到同级的期刊发表。

8.可以通过那些方式付款？

答:目前，我们支持工商银行、建设银行、农业银行、中国银行、邮政储蓄等银行的柜台汇款；网银在线付款；支付宝、淘宝在线付款；企业的对工帐户付款。我们的法人代表是“任本芬”、对工帐户是“四川博文网络科技有限责任公司”，有疑问请联系投诉与建议中心杨老师：13378216660。

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《微电子学》论文发表范例 一种用于高速高精度A/D转换器的时钟稳定电路徐鸣远 沈晓峰 朱璨 (309)
一种高速数据接收同步电路的设计刘军 杨毓军 傅东兵 张瑞涛 李煜璟 (313)
高性能电荷泵电路设计与HSPICE仿真张序 于海勋 (317)
一种基于二阶Σ-Δ调制的D类放大器的设计沈晓峰 朱璨 徐鸣远 张正平 (321)
一种嵌入式12位300 MHz D/A转换器付丽曼 陈珍海 陶建中 (325)
面向多媒体信息处理的可重构BOOTH乘法器设计孙川 王友仁 张砦 孔德明 (329)
一种用于大功率D类功率放大器的快速启动LDO庄海孝 马成炎 叶甜春 黄伟 (334)
DC-DC变换器中CMOS电荷泵锁相环的设计黄可 冯全源 (339)
基于BSIM3V3模型的E类CMOS功率放大器设计陈远均 徐建城 王婵媛 (343)
一种小面积低功耗串行AES硬件加解密电路韩少男 李晓江 (347)
无刷直流振动电机驱动电路设计徐跃 杨英强 (354)
基于ALU架构的面积优化FIR滤波器设计廖永波 李平 阮爱武 李文昌 李威 (358)
最少元件MO-CDTA通用二阶滤波器和振荡器李永安 忽满利 (362)
超高压集成电路中的闩锁效应与仿真程东方 易志飞 (365)
片上多频正弦波的实现唐圣学 何怡刚 陈丽 (369)
带内噪声整形连续时间滤波器陈勇 周玉梅 (374)
一种高阶通用对数滤波器的设计方法张玲 曾以成 杨红姣 (378)
适用于谐振时钟的CMOS触发器研究叶茂 刘海南 周玉梅 (382)
基于阵列结构的ECC算法核心运算模块设计杨玲 王友仁 (387)
一种高性能智能卡的设计实现戴鹏 叶兆华 张哲 王新安 张兴 (392)
基于CMOS工艺的全芯片ESD保护电路设计向洵 刘凡 杨伟 徐佳丽 (396)
一种高效降压型DC/DC变换器控制电路的设计廖敏 胡永贵 (400)
大功率低THD＋N的D类音频功率放大器黄伟 马成炎 叶甜春 (406)
非规则栅结构PD CMOS/SOI器件SPICE模型参数分析贺威 张正选 (411)
工艺变化下互连线建模与ABCD参数仿真张瑛 杨恒新 车晶 丁可柯 (416)
基于阈值电压漂移的VDMOS寿命评价陈镜波 何小琦 章晓文 (421)
一种具有双面界面电荷岛结构的SOI高压器件胡盛东 张波 李肇基 (425)
电化学制备金锡合金薄膜技术研究刘欣 胡立雪 罗驰 (430)
芯片凸点电镀中的清洁生产技术罗驰 胡彦彬 (434)
高温对金-铝系统电阻和强度的影响研究胡立雪 秦岭 (436)
电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响刘远 李斌 何玉娟 (440)
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究周东 张庆东 顾晓峰 (444)
亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究李宁 刘存生 孙丽玲 薛智民 (448)
氧化硅薄膜的制备和性质研究王新 向嵘 李野 王国政 姜德龙 端木庆铎 田景全 (454)
100V N沟道VDMOS寄生电容研究唐昭焕 刘勇 胡永贵 羊庆玲 杨永晖 谭开洲 (457)
深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应卜建辉 毕津顺 宋李梅 韩郑生 (461)
并行分时流水线A／D转换器系统级研究王友华 张俊安 余金山 王永禄 (165)
0．35μm SiGe BiCMOS 10位1GSPS单片直接数字频率合成器傅东兵 刘军 张瑞涛 严纲 俞宙 李儒章 (169)
一种∑-△A／D转换器抽取滤波器的设计吴倩瑜 张正瑶 李儒章 石立春 (173)
SOC软硬件协同仿效系统的通讯协议设计廖永波 李平 阮爱武 李威 李文昌 李辉 (177)
低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计刘高辉 张金灿 (182)
一种增益可控音频前置放大器电路的设计潘文光 于云丰 马成炎 叶甜春 (186)
一种12位50MSPS流水线逐次逼近A／D转换器董磊 涂志娣 王百鸣 阳广 薛超杰 刘浩瑞 (190)
一种基于高压工艺的高精度电流采样电路易长根 明鑫 周泽坤 张波 (195)
一种用于半并行A／D转换器的比较器设计徐鸣远 周述涛 朱璨 沈晓峰 (199)
通用二阶曲率补偿带隙基准电压源吴贵能 周玮 李儒章 董少青 (204)
数字电视调谐器中锁相环锁定时间的计算吴秀龙 吉新春 吴建辉 (209)
一种应用于DSP嵌入式存储器的灵敏放大器设计王艺燃 于宗光 (212)
一种可切换的双频段CMOS低噪声放大器武振宇 马成炎 叶甜春 庄海孝 (217)
一种新型低电压极限电流检测电路许小丽 冯全源 (222)
CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术张宗楠 赵磊 张海英 (226)
基于新型双模分频器的低功耗多模分频器于云丰 马成炎 叶甜春 (230)
TH—UWB通信系统数字接收机的芯片设计段吉海 潘磊 覃宇飞 李晟 (235)
一种新型低噪声高均匀性红外焦平面读出电路吕坚 周云 张东路 蒋亚东 (239)
2～12GHzCMOS超宽带低噪声放大器设计罗文远 王春华 杜四春 (243)
一种新的正交直接数字频率合成器设计方案王革思 张勇 何煜 李萌 (248)
一种低功耗三相无刷电机驱动控制器的设计李伟东 唐万军 庞佑兵 (252)
柔性结构的AES加密芯片设计李喆 李洪革 邓征 (256)
基于中间件的异构数据集成系统设计裴玉玲 庞佑兵 (260)
PCR微流体芯片温度控制系统的设计刘超 杨盛 (265)
一种基于差动放大器的超高速脉宽调整电路朱璨 徐呜远 沈晓峰 冯雯雯 (270)
降压型DC／DC开关电源中的电压前馈技术王敬 范哲 冉建桥 索武生 胡永贵 (274)
DC／DC模块中功率器件的寿命预计方法黄春益 马卫东 张喆 谢雪松 吕长志 李志国 (278)
耗尽型4H-SiC埋沟MOSFET器件解析模型研究王巍 秘俊杰 曾勇 王晓磊 唐政维 彭能 (283)
量子元胞自动机全加器的布尔差分测试法张南生 蔡理 冯朝文 (287)
基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究刘欣 谢廷明 罗驰 刘建华 唐哲 (291)
伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响侯通贤 姚若河 林晓玲 (295)
具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计薛龙来 郭宇锋 周井泉 孙玲 (300)
新型发射极指组合结构功率SiGe HBT热分析 胡宁 张万荣 谢红云 金冬月 陈亮 沈珮 黄璐 (305)
分段式电流舵D／A转换器抗di／dt噪声设计陈中盟 姚若河 (1)
WLAN中带ESD保护的低噪声放大器设计石春琦 马和良 张润曦 赖宗声 (6)
基于0．35μmGeSi—BiCMOS工艺的1GSPS采样保持电路张俊安 王永禄 朱璨 张正平 (11)
一种用于ADC减少插值误差的预放大器刘元 徐江 顾川 于奇 许巧丽 (16)
一种适用于GSM DCS和ISM频段的PIFA天线杨军 李校林 赵为粮 (20)
一种用于高精度D／A转换器的数字校准技术朱冬梅 傅东兵 石建刚 杨卫东 刘伦才 李开成 (24)
两级运放中共模反馈电路的分析与设计连全文 冯全源 (29)
一种数字信号处理器中的高性能乘加器设计孙偲彦 蒋剑飞 毛志刚 (32)
宽范围CMOS差分式双端输入-输出电流传输器肖君宇 陈向东 苏长远 (37)
一种高性能CMOS运算放大器的设计黄君凯 徐卓慧 陈松涛 (41)
一种低功耗快速起振晶体振荡器武振宇 马成炎 叶甜春 (45)
模拟电路故障诊断的小波神经网络方法阳辉 罗琨 何怡刚 (50)
一种新颖的可编程电压监测芯片葛彬杰 王新安 张兴 冯晓星 汪清勤 (54)
一种高电源抑制比带隙基准源张彬 冯全源 (58)
基于FPGA的ARINC429多通道芯片设计刘连生 姜健飞 (62)
35W集成控制型HID镇流器的设计张辉 王辅忠 袁神龙 (66)
用于微电容检测的c／v电路设计与研究柴旭朝 苏小波 顾晓峰 于宗光 (70)
自顶向下制备硅纳米线环栅MOSFET新工艺宋毅 徐秋霞 (74)
低功耗低频率低噪声医用模拟IC设计进展李严 张元亭 (80)
纳米集成电路的静电放电防护 李明亮 董树荣 韩雁 杜晓阳 霍明旭 郭维 郭清 (87)
一种新的OFDM系统载波频偏估计算法胡蔷 杨铁军 (94)
PCB版图设计中的结构建模方法研究李贤云 余兴六 吴鹏 (98)
实现AES算法中S-BOX和INV-S-BOX的高效方法韩少男 李晓江 (103)
一种改进的开关电容∑-△调制器的行为模型郝志刚 杨海钢 张翀 吴其松 尹韬 (108)
多参数流水线A／D转

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