极低频电磁场与铝联合应用对小鼠学习记忆行为的影响
本文关键词：极低频电磁场与铝联合应用对小鼠学习记忆行为的影响
【摘要】：目的观察极低频电磁场(ELF-MF)与铝负荷对学习记忆行为的影响,并初步探讨其可能机制。方法 64只雄性SPF级昆明小鼠每天接受50 Hz、2 mT ELF-MF暴露和(或)灌胃给予葡萄糖酸铝(200 mg Al3+/kg),一周6 d,共8周。8周后取大脑组织做HE染色观察小鼠脑组织病理形态变化;Morris水迷宫检测小鼠的学习记忆行为;生化方法检测小鼠大脑组织及血清中SOD活性和MDA含量。结果 ELF-MF暴露与铝负荷单独或联合暴露后小鼠的逃避潜伏期明显增长,在目标象限的停留时间比明显减少,各组与对照组相比均有显著性差异,而组间比较无显著性变化。病理切片结果显示,ELF-MF组、铝负荷组和ELF-MF+铝负荷组大脑皮质和海马区神经细胞和椎体细胞数目都出现减少,排列紊乱。通过氧化应激指标检测发现,二者均可致脑组织与血清中SOD活性明显降低以及MDA含量明显升高。结论 ELF-MF暴露与铝负荷单独或联合暴露均能够导致小鼠学习记忆障碍,其机制可能与氧化应激有关。
【作者单位】： 重庆医科大学药学院生药学教研室;
【分类号】：R312
【正文快照】： 极低频电磁场(extremely low frequency electro-magnetic field,ELF-MF)指频率在300 Hz以下的交变电磁场,主要由电力供应和各类家用电器产生。中枢神经系统(特别是海马脑区)是对电磁辐射最为敏感的靶器官之一。职业暴露于电磁场中可出现头痛头昏、乏力疲劳、记忆力减退、睡
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