半导体激光结合红外线照射治疗促进植皮术后伤口愈合疗效观察

发布时间：2018-10-24 19:37

【摘要】：目的:观察半导体激光结合红外线照射治疗促进植皮术后伤口愈合的效果。方法:1.本科室植皮术后伤口不愈合患者66例,其中分成治疗组33例,对照组各33例。2.治疗组:常规换药先给予红外红照射,距离患处20～30cm,15-20min/次,1次/d。续予半导体激光治疗仪局部照射溃疡10～15min/次,1次/d,10次为1个疗程。对照组:常规消炎伤口换药。评估:治疗10天后采用肉眼观察创面分级发。结果:治疗组治愈33例显效33例。有效率为100%。对照组治疗33例,显效21例,无效12例,有效率为64%.两组差异有显著性,结论:红外红治疗仪+半导体激光治疗仪辅助照射感染伤口和溃疡,能明显促进伤口或溃疡愈合。
[Abstract]:Objective: to observe the effect of semiconductor laser combined with infrared irradiation on wound healing after skin grafting. Methods: 1. 66 cases of wound nonunion after skin grafting were divided into treatment group (33 cases) and control group (33 cases). In the treatment group, infrared red irradiation was given at the beginning of routine dressing change, 20 ~ 30 cm ~ (-1) ~ 15 ~ 20 min / time, once a day. The ulcer was treated with semiconductor laser therapy instrument for 10~15min/ times, 10 times per day as a course of treatment. Control group: routine anti-inflammatory wound dressing change. Evaluation: after 10 days of treatment, the grading of wound was observed with naked eye. Results: 33 cases were cured in the treatment group. The effective rate is 100. In the control group, 33 cases were treated, 21 cases were markedly effective, 12 cases were ineffective, the effective rate was 64%. The difference between the two groups is significant. Conclusion: the infrared red therapeutic instrument semiconductor laser therapy instrument can obviously promote wound or ulcer healing by auxiliary irradiation of infected wound and ulcer.
【作者单位】： 广州军区广州总医院;南方医科大学研究生院;
【分类号】：R454.2;R622

【共引文献】

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本文编号：2292357