偏振分光膜中节瘤的激光损伤特性

发布时间：2018-10-08 12:25

【摘要】：研究了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜中节瘤的损伤特性。为了研究偏振分光膜中节瘤缺陷种子源粒径大小与损伤阈值之间的关系,在熔石英基板上植入了尺寸和密度可控的单分散性的Si O2小球,并采用电子束蒸发技术在熔石英基板上制备了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜。为了便于损伤测试,节瘤缺陷密度控制在20~40 mm2左右,并采取旋涂的措施防止了Si O2小球团聚的现象。为了获得人工节瘤损伤能量的统计值,用脉宽为10 ns的1 064 nm脉冲激光进行了光栅扫描式损伤测试。实验结果表明在偏振分光膜中节瘤缺陷的损伤阈值随着种子源粒径的增大而单调下降。
[Abstract]:The damage characteristics of ganglion in 1 064 nm Hf O2/Si O 2 polarizing film were studied. In order to study the relationship between the particle size and damage threshold of the seed source with nodule defects in the polarizing film, a monodisperse Si O 2 sphere with controllable size and density was implanted on the fused quartz substrate. A 1 064 nm Hf O2/Si O 2 polarizing film was prepared on fused quartz substrate by electron beam evaporation. In order to facilitate damage test, the defect density of ganglion was controlled at about 20 ~ 40 mm2, and the phenomenon of Si O _ 2 ball agglomeration was prevented by spin-coating. In order to obtain the statistical value of the damage energy of artificial ganglion, a grating scanning method was used to measure the damage of 10 ns pulse laser at 1064 nm. The experimental results show that the damage threshold of nodule defect decreases monotonously with the increase of seed particle size in the polarizing film.
【作者单位】： 同济大学先进微结构材料教育部重点实验室;同济大学物理科学与工程学院精密光学工程技术研究所;
【基金】：国家自然科学基金(61235011) 高等学校博士学科点专项科研基金(20100072120037)
【分类号】：R818;TN249

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2256742