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基于蒙特卡洛方法和数字体模的质子治疗设施屏蔽优化设计

发布时间:2021-11-15 21:27
  目的:评估采用蒙特卡洛(MC)模拟方法和中国科学技术大学数字人体模型(USTC体模)在质子治疗设施中的辐射屏蔽优化设计。方法:使用MC模拟方法和USTC体模计算数字体模处于不同位置时在不同部位的当量剂量率(EDR),对安徽省合肥市离子医学中心(HIMC)的新型质子治疗设施的屏蔽设计进行评估,并将其与采用经验公式计算得出的EDR进行比较。结果:使用铁靶时,经验公式计算得出的EDR值比MC模拟方法得到的结果偏高27.6倍;使用水靶时,经验公式计算结果较MC模拟结果高36.6倍,说明使用经验公式进行屏蔽计算将使得剂量被高估,从而导致成本增加,不符合辐射防护最优化原则。结论:利用USTC体模对质子治疗设施进行基于MC模拟的屏蔽计算可以得到更加准确和优化的结果。 

【文章来源】:中国医学物理学杂志. 2020,37(12)CSCD

【文章页数】:8 页

【部分图文】:

基于蒙特卡洛方法和数字体模的质子治疗设施屏蔽优化设计


HIMC质子治疗系统简图

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经验公式计算涉及的几何模型如图3所示。质子撞击目标靶后在该点产生的当量剂量率为H0,经一定方向自屏蔽体内侧穿过,在屏蔽体外侧的关注点(屏蔽体厚度为“d”,单位:cm)处减小为Hx。碰撞点与关注点之间的距离为“r”,单位:m。根据(GBZ/T201.5-2015)[20]中“6机房墙体屏蔽估算方法”,当关注点与束流损失点的距离远大于束流损失点的几何尺寸(大于7倍)时,可将靶视为点源。根据质子治疗系统的设备结构和平面布局,本项目各束流损失点均视为点源处理。屏蔽体外关注点剂量率采用下式计算[20]:图3 质子加速器理论计算几何模型

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图2 MC模拟计算和理论计算流程图其中,λ(θ)为在θ方向的级联中子在屏蔽层中的衰减长度,单位:g/cm2;Hcasc为单个质子产生的级联中子在距束流损失点1 m远处的当量剂量,单位:(SV?m2)/p;侧向和前向的Hcasc和λ(θ)的值如表1所示,数据引用《广东本项目质子医疗装置示范工程项目核技术利用环境影响报告书》中130~230 Me V质子相应参数,采用内插法换算而得。当束流损失为I(固定治疗室中的加速器机头束流损失为3 n A)时,每秒在组件中损失的质子数为S0=6.24×109I,单位:P/s。


本文编号:3497523

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