上海发展IGBT技术及产业规划的建议

发布时间：2017-10-12 19:53

  本文关键词：上海发展IGBT技术及产业规划的建议

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【摘要】：IGBT是综合MOS管和双极晶体管特征优势的一种新型半导体复合器件,自面世以来,IGBT以其优越的动静态性能作为一种新型电力电子半导体的器件。在国家大力发展新兴战略性产业政策的推动下,IGBT不仅在传统领域具有巨大的市场需求,而且在新兴战略性产业市场需要方面也迅速增长。行业协会在IGBT技术产业趋势和规划研究的项目课题中,分析重点内容、制定阶段目标计划,提出IGBT技术和产业发展的保障措施和对策建议,积极推动国家和上海IGBT技术与产业的进步发展。
【作者单位】： 上海市集成电路行业协会;
【关键词】： 大功率半导体 新能源应用 IGBT
【基金】：上海市软科学研究计划项目(15692107200)
【分类号】：F426.63;TN322.8
【正文快照】： 1引言 当前,世界各大功率半导体公司对IGBT的研发日益高涨。研究开发和技术创新日益加快。IGBT主要集中在欧美日等国家,相比而言,国内IGBT技术研究开发起步较早,但进展缓慢,特别是在IGBT产业化方面还处于起步阶段。我国作为全球最大的IGBT应用市场,目前IGBT产品仍主要依赖进

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本文编号：1020583