当前位置:主页 > 管理论文 > 工商管理论文 >

第三代半导体产业概况剖析

发布时间:2017-11-13 06:31

  本文关键词:第三代半导体产业概况剖析


  更多相关文章: 第三代半导体 碳化硅 氮化镓


【摘要】:技术创新是推动产业发展的永恒动力。当前,在科技强国的背景下,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料凭借着其优异的特性得到了世界各国的高度重视。我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发,启动了一系列重大研究项目。
【作者单位】: 河北科技大学;
【分类号】:TN304;F426.63
【正文快照】: 1引言 由于第三代半导体材料具有非常显著的性能优势和巨大的产业带动作用,欧美日等发达国家和地区都把发展碳化硅半导体技术列入国家战略,投入巨资支持发展[1]。本文将对第三代半导体材料的定义、特性以及各国研发情况进行详细剖析。 1.1第一代半导体材料概况 第一代半导

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 陈振;;基于氮化镓GaN硅衬底的LED[J];集成电路应用;2015年04期

中国博士学位论文全文数据库 前1条

1 吴娜;全息光栅掩模图形转移理论模型及新工艺研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2013年

【共引文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 李春;邓君楷;;第三代半导体产业概况剖析[J];集成电路应用;2017年02期

2 王小平;宁仁敏;王丽军;柯小龙;陈海将;宋明丽;刘凌鸿;;蓝区无机薄膜电致发光材料研究进展[J];中国光学;2017年01期

3 周国强;李维庆;张一鸣;;射频氮化镓GaN技术及其应用[J];集成电路应用;2016年12期

【二级参考文献】

中国博士学位论文全文数据库 前6条

1 韩建;全息光栅曝光光学系统优化及光栅掩模参数控制方法研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2012年

2 曾瑾;Ⅳ型凹面全息光栅参数优化及误差分析方法研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2012年

3 周杰;大高宽比纳米光学元件制作工艺及应用研究[D];中国科学技术大学;2012年

4 孔鹏;平场全息凹面光栅设计方法及制作关键技术研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2011年

5 李鹏;碳化硅等含硅纳米材料的溶剂热合成[D];山东大学;2008年

6 林华;介质膜光栅:光刻胶掩模占宽比和离子束刻蚀槽深的监控[D];清华大学;2005年

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前9条

1 ;第三代半导体或将引发又一次照明革命"[J];覆铜板资讯;2014年01期

2 李嘉席,孙军生,陈洪建,张恩怀;第三代半导体材料生长与器件应用的研究[J];河北工业大学学报;2002年02期

3 陈裕权;第三代半导体材料的发展及应用[J];世界产品与技术;2000年05期

4 张冀;GaN-第三代半导体的曙光[J];新材料产业;2000年05期

5 宋登元,王秀山;GaN材料系列的研究进展[J];微电子学;1998年02期

6 雷通;王小平;王丽军;张雷;吕承瑞;王隆洋;;第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用[J];材料导报;2009年01期

7 梁春广,张冀;GaN——第三代半导体的曙光[J];半导体学报;1999年02期

8 李国强;第三代半导体材料——二十一世纪IT产业新的发动机[J];新材料产业;2002年06期

9 ;[J];;年期



本文编号:1179524

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/gongshangguanlilunwen/1179524.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户68dac***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com