我国化合物半导体产业状况分析

发布时间：2018-01-28 13:18

  本文关键词： 化合物半导体 GaAs GaN SiC　出处：《集成电路应用》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：集成电路高速发展,为产业发展提供技术支撑。我国集成电路正处于大发展时期,可为化合物半导体产业提供先进技术支撑。相对于硅材料,化合物半导体性能更加优异,制作出的器件相对于硅器件具有更优异的电性能。国产化替代需求为化合物半导体产业发展提供了巨大市场。
[Abstract]:The rapid development of integrated circuits provides technical support for the industrial development. China's integrated circuits are in a period of great development, which can provide advanced technical support for the compound semiconductor industry. Compared with silicon materials. The properties of compound semiconductors are more excellent, and the fabricated devices have better electrical properties than silicon devices. The demand for localization of substitution provides a huge market for the development of compound semiconductor industry.
【作者单位】： 赛迪智库集成电路产业研究所;
【分类号】：F426.63
【正文快照】： 化合物半导体是区别于硅(Si)和锗(Ge)等传统单质的一类半导体材料,主要包括砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)、氮化镓(Ga N)、碳化硅(Si C)、氧化锌(Zn O)等。相对于硅材料,化合物半导体性能更加优异,制作出的器件相对于硅器件具有更优异的光电性能、高速、高频、大功率、耐高温和

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本文编号：1470868