不同条件下陶瓷金属化瞬态温度场的计算

发布时间：2017-10-12 01:47

  本文关键词：不同条件下陶瓷金属化瞬态温度场的计算

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【摘要】：目前工业生产中,陶瓷金属化工艺条件的选择大多是经验性设定,对其如何影响金属化过程缺乏认识。针对于此,本文在前期所建立的陶瓷金属化氢炉的瞬态温度场计算模型基础上,考虑辐射和对流作用,计算陶瓷金属化过程中炉内的流动与传热问题,着重讨论了陶瓷件数量、氢气流量等条件对陶瓷金属化氢炉温度场的影响关系。结果表明,陶瓷件数量对同一位置金属化层最高温度影响较小(2℃),但对炉温均匀性影响很大,不同位置陶瓷金属化层温度相差达到几十摄氏度。炉内加热一段时间后出现温度统一区(z0.45 m),这一区域内的陶瓷金属化层最高温度几乎不受氢气流量的影响,金属化质量具有更好的一致性。
【作者单位】： 中国工程物理研究院电子工程研究所;
【关键词】： 氧化铝陶瓷 金属化温度 工艺条件 氢炉
【分类号】：TB756
【正文快照】： 陶瓷金属封接是电真空器件中的常见结构之一,具有体积小、结构紧凑等优点,可以满足真空绝缘的使用需求,在电子真空领域应用广泛。为保证封接焊料在陶瓷表面的良好润湿性,陶瓷金属化是封接过程中必不可少的关键技术之一。陶瓷金属化性能除了受金属化配方、活化剂含量、金属化膜

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本文编号：1015993