气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

发布时间：2017-10-22 15:17

  本文关键词：气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心

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【摘要】：利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10~(-15)cm~2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10~(-17)cm~2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。
【作者单位】： 山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理工程学院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
【关键词】： InPBi 深中心 深能级瞬态谱(DLTS) 气源分子束外延(GSMBE)
【基金】：国家自然科学基金(61176065,61205055) 山东省自然科学基金(ZR2014FM011) 信息功能材料国家重点实验室开放课题(SKL201307)资助项目
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 1引言半导体光电子器件材料以高质量、低成本为目标,材料中的杂质和缺陷对半导体器件的性能有重要影响。随着对材料的结构、力学、化学和电学特性的深入研究,其缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷相互作用将是需要进行深入研究的很重要的方面。深能级缺陷的研究是一个比较复杂的，

本文编号：1078928