不同厚度PZT薄膜的制备及电性能特性研究

发布时间：2017-11-14 19:39

  本文关键词：不同厚度PZT薄膜的制备及电性能特性研究

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【摘要】：采用sol-gel(溶胶-凝胶)法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上分别制备了厚度为400 nm、600 nm、800 nm的PZT(锆钛酸铅,Zr/Ti=52/48)薄膜,研究了厚度对薄膜介电性能与铁电性能的影响。通过对薄膜的铁电性能与介电性能进行测试,分析了不同厚度薄膜的剩余极化强度、介电常数与介电损耗,进一步分析了薄膜的介电调谐性能。实验结果表明,薄膜的介电常数与介电损耗随薄膜厚度的增大而增加;厚度为600 nm的薄膜具有最好的介电调谐性能与铁电性能。
【作者单位】： 中北大学电子测试技术国家重点实验室;中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;
【基金】：基于黑硅吸收层的多层组合纳米膜红外探测器及其气体检测技术项目(51205373)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 铅基薄膜如PT、PCT、PLT和PZT等,由于具有优良的介电、铁电及热释电性能,成为当前国际上备受关注的功能材料,被广泛应用于制备热成像器件、热释电红外传感器、MEMS器件和铁电随机存储器等[1-4]。PZT薄膜器件具有响应快,探测信号快,结构紧凑,机械强度好[5],可提高波长范围等特

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本文编号：1186775