射频磁控溅射方法制备掺氮TiO_x薄膜及其结构和亲水性研究（英文）

发布时间：2017-11-20 17:00

  本文关键词：射频磁控溅射方法制备掺氮TiO_x薄膜及其结构和亲水性研究（英文）

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【摘要】：采用磁控溅射方法制备掺氮TiO_x薄膜。将TiO_x作为靶材,通以N_2/Ar混合气体来精确控制N的掺杂量。为改善掺氮TiO_x薄膜的性能,首先将试样放于退火炉中退火,退火温度范围为300~600℃;再将试样放于黑暗处一段时间;最后用可见光(VIS)照射。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌,结果表明,颗粒尺寸随退火温度升高而增大。采用X射线光电子能谱(XPS)研究薄膜的化学成分,结果表明,薄膜中生成了N-Ti-O(β-N)和羟基,这可能是因为N掺杂入TiO_x晶格引起的;且羟基含量随退火温度升高而增加,使得基片有更好的亲水性。采用X射线衍射(XRD)研究薄膜的晶体结构,结果表明,退火后非晶薄膜转变为晶态。采用接触角仪测试薄膜的亲水性,结果表明,水接触角随退火温度升高而减小,这可能是由于颗粒尺寸和羟基含量的改变造成的。亲水性也受避光储存时间的影响,实验结果表明,随着储存时间的增加,水接触角增加。可见光照射实验表明,可见光照射后薄膜的亲水性增加。
【作者单位】： 东北大学;佳木斯大学;
【基金】：A Grant from Shenyang City(F13-295-1-00) Fundamental Research Funds for the Central Universities(N130403002)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： Titanium oxide(Ti Ox)films have attracted the interest ofsecond model,the red shift is rather related to the occurrencemany researchers due to their exceptional properties,such asof new N 2p states,close to the upper limit of the valencehigh biocompatibi

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本文编号：1207837