磁控溅射参数对钛酸锶钡薄膜生长及介电性能的影响

发布时间：2017-12-14 17:32

  本文关键词：磁控溅射参数对钛酸锶钡薄膜生长及介电性能的影响

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【摘要】：使用射频磁控溅射系统在Pt/SiO_2/Si基片上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,研究了溅射过程中氧氩比与溅射总气压对BST薄膜生长过程及介电性能的影响。通过XRD衍射仪、原子力显微镜等对在不同条件下制备出的薄膜样品进行了性能测试和分析。结果表明:增加氧氩比能够增加薄膜表面晶粒尺寸,提升薄膜的结晶度,增加薄膜的介电常数并降低介电损耗,但同时也会降低薄膜的沉积速率;增加溅射气压会导致薄膜表面晶粒尺寸减小、结晶度降低,薄膜的沉积速率随着溅射气压的增加呈现先增加后降低(溅射气压大于2Pa时)的趋势。
【作者单位】： 陕西师范大学物理学与信息技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(51372148) 中央高校基本科研业务费创新团队项目(GK201401003)
【分类号】：O484
【正文快照】： PACS:68.55.-a,68.55.A-钛酸锶钡(BST)材料具有介电常数高、介电损耗低等优点,在随机动态存储器、微波器件、红外探测器等领域有广泛的应用前景[1-2]。随着科技的进步,使用块体材料制备的铁电器件的尺寸已经无法满足高集成技术的需求,铁电薄膜材料纳米尺度的物理特性吸引了众

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