掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定

发布时间：2017-12-27 08:32

  本文关键词：掺杂铌和钴元素的PZT薄膜的残余应力测定　出处：《压电与声光》2016年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优异的压电性能,是制作微机电系统(MEMS)振动式能量收集器的理想材料。在溶胶-凝胶法制备PZT薄膜的过程中产生的残余应力会对能量收集器有负面影响。该文利用X线衍射法对在退火温度分别为650℃、700℃、750℃、800℃下掺杂铌(Nb)和钴(Co)元素的PZT薄膜样品的残余应力进行了测定。实验结果表明,PZT薄膜样品中的残余应力表现为压应力,从650℃升高到750℃的过程中,随着退火温度的升高薄膜中的残余应力增大;直到750℃附近后,残余应力基本保持稳定。
[Abstract]:Lead zirconate titanate (PZT) thin film has excellent piezoelectric properties and is an ideal material for making MEMS vibration energy collector. The residual stress produced in the preparation of PZT films by sol-gel method will have a negative effect on the energy collector. The residual stresses of PZT thin films doped with Nb (Nb) and CO (Co) at annealing temperature of 650, 700, 750, 800, were determined by X ray diffraction. The experimental results show that the residual stress in PZT thin films is compressive stress. From 650 to 750 degrees, the residual stress increases with the increase of annealing temperature, and the residual stress remains stable until 750 degrees.
【作者单位】： 重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室;重庆大学微系统研究中心;
【基金】：中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(106112014CDJZR160001)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 0引言随着电子技术、信息技术、微电子技术的发展,基于MEMS的微传感器、微执行器的应用领域越来越广。近年来,物联网和无线传感网络的兴起,使微型能量收集器和微型储能元件成为MEMS领域的研究热点[1]。PZT作为一种压电材料具有高居里温度和高机电耦合系数等特点,PZT薄膜是制作

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本文编号：1340961