当前位置:主页 > 管理论文 > 工程管理论文 >

磁控溅射Al-Fe-Sn薄膜的电输运性能(英文)

发布时间:2017-12-27 21:49

  本文关键词:磁控溅射Al-Fe-Sn薄膜的电输运性能(英文) 出处:《稀有金属材料与工程》2016年05期  论文类型:期刊论文


  更多相关文章: 电阻率 铝合金薄膜 电输运


【摘要】:在电子工业中,为了制备低电阻率的Al合金薄膜,需要对薄膜进行退火。虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而到目前为止,对于铝合金薄膜的电输运性能研究甚少。本实验首先利用TEM对于磁控溅射铝合金薄膜的结构,特别是对其与基底界面处的结构进行了表征。在此基础上,利用霍尔效应测试了解界面状态的变化对于霍尔载流子浓度及迁移率的影响。结果表明,在退火过程中,薄膜与基底之间通过扩散形成紧密接触,从而使得合金薄膜同时具有较高的载流子浓度以及载流子迁移率。最后,利用一个新提出的能带模型,解释所观察到的界面变化对于电导率的影响。
[Abstract]:In order to prepare the low resistivity Al alloy film in the electronics industry, the film needs to be annealed. Although the resistivity of the material is closely related to its electrical transport properties, so far, the electrical transport properties of the aluminum alloy thin film are seldom studied. In this experiment, the structure of the magnetron sputtering aluminum alloy film was first used to characterize the structure of the magnetron sputtering aluminum alloy film, especially the structure at the interface between the TEM and the substrate. On this basis, the Holzer effect test was used to understand the influence of the change of the interface state on the carrier concentration and mobility of Holzer. The results show that during annealing process, thin film and substrate are formed by tight diffusion, which leads to higher carrier concentration and carrier mobility at the same time. Finally, a new proposed energy band model is used to explain the effect of the observed interface changes on the conductivity.
【作者单位】: 同济大学;
【分类号】:TG146.21;TB383.2
【正文快照】: Al and Al alloy films with high characteristics are still nowthe major conductive materials in practical applications formany kinds of electrical equipments and power systems.Therepresentative Al films as wires have been widely used forVLSI(very large sc

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 张克华;文东辉;陶黎;袁巨龙;;合金薄膜铜衬底抛光质量对薄膜表面结构的影响[J];金刚石与磨料磨具工程;2007年05期

2 ;日开发调光镜玻璃用镁镍系合金薄膜[J];真空电子技术;2009年03期

3 ;透氢合金膜的开发[J];金属功能材料;2006年01期

4 方方;张晶;朱健;郑时有;陈国荣;孙大林;;氢致过渡族金属及合金薄膜的光电性能变化[J];真空科学与技术学报;2007年06期

5 戴国才;宋学文;陈友鹏;马洪磊;余亦顺;郭清长;;氟系非晶态硅材料的研究[J];贵金属;1981年04期

6 沈中良;张曙东;杨辉;吴刚;姚费杰;杨立功;;真空电镀制备非连续合金薄膜及其在电磁屏蔽中的应用[J];材料科学与工程学报;2011年02期

7 刘天成;卢志超;李德仁;孙克;周少雄;卢燕平;;电沉积铁镍纳米合金薄膜的结构和性能研究[J];功能材料;2007年01期

8 朱从容;吕冰海;邓乾发;任尹飞;;非晶态合金薄膜铜衬底超精密抛光的实验研究[J];金刚石与磨料磨具工程;2011年01期

9 颜心良;王江涌;;二元合金薄膜的表面偏析[J];真空;2012年04期

10 李帅辉;舒勇华;樊菁;;电子束物理气相沉积钇钛合金薄膜的组分和厚度分布[J];中国科学(E辑:技术科学);2008年07期

相关会议论文 前10条

1 张轩雄;陈W,

本文编号:1343331


资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/guanlilunwen/gongchengguanli/1343331.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户8e189***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com