基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）
本文关键词：基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文） 出处：《光散射学报》2016年02期 论文类型：期刊论文
【摘要】：立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。
[Abstract]:Cubic silicon carbide 3C-SiC thin films were prepared on Si-100 substrates by chemical vapor deposition (CVD). The microstructure and optical properties of 3C-SiC thin films were further studied by Raman scattering. The thickness of 3C-SiC films was obtained by SE analysis. According to Raman scattering analysis, the correlation length and carrier concentration of the sample can be obtained from the fitting of the linear shapes of to and Lo modes. The film quality increases with the increase of film thickness. At the same time, the influence of the thickness of the epitaxial layer on the characteristics of the film is analyzed.
【作者单位】： 物理科学与工程技术学院广西相对论天体物理重点实验室光电子材料与探测技术实验室广西大学;华南师范大学光电子材料与技术研究所;中山大学光电材料与技术国家重点实验室物理科学与工程技术学院;Department
【基金】：中山大学光电材料与技术国家重点实验室开放课题和国家自然科学基金(11474365,61377055,61176085) 广西相对论天体物理重点实验室广西自然科学基金创新团队项目(2013GXNSFFA019001) 国家自然科学基金“基于铁电体微畴结构的平板集成高速电光器件研究”(AE0520088)
【分类号】：O657.37;TB383.2
【正文快照】： 2.华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631;3.中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州510275;4.Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603Kuala Lumpur,Malaysia;5.Department of Physics,Auburn University,Aubu
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