辉光放电质谱法检测AZO靶材中痕量元素及深度分布
本文关键词： 辉光放电质谱法 AZO靶材 磁控溅射 深度分析 出处：《中国测试》2017年04期 论文类型：期刊论文
【摘要】：利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDMS和台阶仪对已经进行磁控溅射过的AZO靶材表面进行深度剖析,考察靶材上的主要污染元素随深度的纵向分布,最后利用GDMS对预溅射完后的AZO靶材内部杂质元素进行质谱分析。利用XPS进行验证,两种方法测试得到的Zn和Al的含量相近。分析结果表明GDMS是分析AZO等半导体靶材的有效方法,该方法可以对靶材造成的污染进行预判,避免溅射过程中造成的污染。
[Abstract]:The trace elements and their depth distribution in Al-doped zinc oxide (AZO) target were analyzed by glow discharge mass spectrometer (GDS). The polyatomic ion interference formed by N and other gas elements. Secondly, the surface of AZO target which has been magnetron sputtering has been analyzed by GDMS and step meter. The longitudinal distribution of the main contaminated elements along with the depth of the target was investigated. Finally, the impurity elements in the AZO target after pre-sputtering were analyzed by mass spectrometry using GDMS. The results were verified by XPS. The results show that GDMS is an effective method for the analysis of semiconductor targets such as AZO, and this method can predict the pollution caused by the targets. Avoid contamination during sputtering.
【作者单位】： 中国科学院福建物质结构研究所测试中心;福建农林大学材料工程学院;
【基金】：2014年国家自然科学基金青年项目(61306065) 2015年福建省自然科学基金项目(2015J05133)
【分类号】：O657.63;TB383.2
【正文快照】： 0引言透明导电薄膜因其兼具电阻率低和透光性好的特点,在各种光电器件例如太阳能电池、平板显示、LED上具有广阔的应用前景[1]。铝掺杂的氧化锌薄膜Zn O∶Al(AZO)作为一种典型的n型半导体薄膜,其禁带宽度接近3.3 e V,在可见光范围具有较高的透射率和低电阻率[2],是一种价格低
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，本文编号：1475206
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