退火对CdSe薄膜结构和形貌的影响

发布时间：2018-02-04 15:27

  本文关键词： 热蒸发 CdSe薄膜 薄膜形貌 晶体结构 退火　出处：《西华师范大学》2016年硕士论文　论文类型：学位论文

【摘要】：由于在可见光波段光电性质表现优秀而在光电子器件和薄膜太阳能电池中应用广泛,CdSe半导体材料具有较好的应用前景。文章主要集中研究CdSe薄膜的可控生长条件,以及退火工艺对其性能的影响。利用真空热蒸发技术,设置蒸发电流为70、75、80、85、90和95A,将CdSe薄膜分别沉积在玻璃和Si衬底上。X射线衍射测试结果显示,在75A的蒸发电流下,CdSe薄膜的结晶性能最好。在氩气氛围中,设定退火温度分别是400、450、500、550和600℃。借助金相显微镜和扫描电镜等设备对薄膜的形貌和晶体结构进行表征,根据薄膜的宏观形貌和微观形貌信息,结果显示75A的蒸发电流和450℃退火温度条件下获得的CdSe薄膜分布均匀且光滑,表面缺陷少,颗粒均匀,其薄膜质量较好。利用XRD图谱,进一步分析了CdSe薄膜的晶体结构。其结果是75A的蒸发电流和450℃退火温度条件下获得的CdSe薄膜的结晶主峰表现为六方晶体(002)方向的结晶峰,其峰的强度最高,且晶粒尺寸大小与薄膜厚度匹配最合适,说明了该电流和该退火温度是最合适的薄膜制备电流和退火温度。CdSe薄膜表面形貌和晶体结构两方面的结果相互验证和补充说明,具有一定的准确性,对CdSe薄膜今后的相关研究在薄膜的可控生长和退火处理两个方面提供了准确可靠的数据参考。
[Abstract]:It is widely used in optoelectronic devices and thin film solar cells because of its excellent optoelectronic properties in visible light band. CdSe semiconductor materials have a good prospect of application. This paper focuses on the controllable growth conditions of CdSe thin films and the effect of annealing process on their properties. The CdSe thin films were deposited on glass and Si substrates by X-ray diffraction at 75A evaporation current of 75A. The crystallization properties of CdSe thin films are the best. In argon atmosphere, the annealing temperature is 400,450,500. At 550 鈩，

本文编号：1490524