多孔介质在PECVD应用的仿真研究

发布时间：2018-02-13 10:30

  本文关键词： PECVD 计算流体力学 多孔介质 数值模拟　出处：《机械设计与制造》2017年05期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：利用计算流体动力学(CFD)软件,按照现有的工艺参数对某管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备腔体进行三维数值模拟分析,研究了不同流量下工艺参数下PECVD设备腔体内部流场的整体分布,并对石英片之间反应区域的速度分布进行详细分析,并提出了多孔结构在腔体内部的应用。计算结果表明该工艺参数下腔体内部整体流动稳定,生长区流速平缓对于薄膜生长非常有利,在反应腔前端加入多孔区有利于增加晶片间的流动扩散,提高薄膜沉积率。数值模拟仿真为PECVD设备制造提供一定的理论指导依据。
[Abstract]:The three-dimensional numerical simulation of a tube plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device cavity was carried out by using the computational fluid dynamics (CFD) software, according to the existing process parameters. The overall distribution of the flow field in the cavity of PECVD equipment under different flow rates is studied, and the velocity distribution of the reaction region between quartz slices is analyzed in detail. The application of porous structure in the cavity is presented. The calculation results show that the overall flow in the cavity is stable under the process parameters, and the smooth growth velocity in the growth zone is very favorable for the growth of the thin film. Adding porous region to the front end of the reactor can increase the flow diffusion between the wafers and increase the deposition rate of the film. The numerical simulation provides a theoretical basis for the manufacture of PECVD equipment.
【作者单位】： 中山大学物理与工程技术学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51402366,61404177)
【分类号】：TB43

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本文编号：1507951