薄膜沉积反应腔室多场建及轮廓调控方法研究

发布时间：2018-02-28 07:12

  本文关键词： 薄膜沉积 应腔 调控方法 表面工程 PECVD 化学反应过程 半导体制造 试错 参数试验 氮化硅薄膜 　出处：《金属加工(冷加工)》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：正薄膜沉积工艺是半导体制造、MEMS、表面工程等领域的基础工艺。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是重要的薄膜沉积工艺方法之一,其工艺系统涉及复杂多场耦合及化学反应过程。目前PECVD反应腔室设计与工艺调控的研究普遍依赖经验试错与大量的工艺参数试验,不仅需要大量的时间与物力成本,且复杂的工艺过程没有得到揭示。实质
[Abstract]:Positive film deposition is the basic process in semiconductor manufacturing, surface engineering and so on. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is one of the most important process methods for thin film deposition. The process system involves complex multi-field coupling and chemical reaction processes. At present, the design and control of PECVD chamber generally rely on empirical trial and error and a large number of process parameters tests, which not only require a lot of time and material cost. And the complex process has not been revealed.
【作者单位】： 清华大学;
【分类号】：TB383.2

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本文编号：1546291