应变影响下单晶Ge薄膜热导率分析（英文）

发布时间：2018-03-26 07:32

  本文选题：热导率　切入点：应变　出处：《稀有金属材料与工程》2017年02期

【摘要】：利用非平衡态分子动力学模拟方法研究了应变对Ge薄膜热导率的影响。结果表明系统应变对单晶Ge薄膜热导率产生明显影响热导率随着拉伸应变的增大而减小,随着压缩应变的增大而增大,得出声子速率降低以及薄膜表面重构是产生该模拟结果的内在原因。同时,采用修正的Callaway模型对NEMD结果进行理论验证,2种方法得到的结果吻合得较好。理论结果表明应变弛豫时间对Ge单晶薄膜的热导率产生了重要影响。
[Abstract]:The effect of strain on the thermal conductivity of GE thin films was studied by non-equilibrium molecular dynamics simulation. The results show that the thermal conductivity of single crystal GE films decreases with the increase of tensile strain. With the increase of compression strain, it is concluded that the decrease of phonon rate and the surface reconstruction of thin films are the intrinsic reasons for the simulation results. The modified Callaway model is used to verify the results of NEMD theoretically. The theoretical results show that the strain relaxation time has an important effect on the thermal conductivity of GE single crystal thin films.
【作者单位】： 东北林业大学;大连理工大学工业装备结构分析国家重点实验室;
【基金】：Fundamental Research Funds for the Central Universities of China(DL12BB38)
【分类号】：TB383.2;TN304.11

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本文编号：1666969