CoFeB超薄膜中增强的饱和磁化强度

发布时间：2018-03-31 05:30

  本文选题：钴铁硼　切入点：超薄膜　出处：《西南大学学报(自然科学版)》2016年09期

【摘要】：研究了分别生长在Si基片和反铁磁FeMn薄膜上的CoFeB超薄膜在室温的磁特性.发现生长在反铁磁FeMn薄膜上的CoFeB超薄膜的饱和磁化强度比直接生长在Si基片的CoFeB超薄膜的值大,并且发现随着CoFeB超薄膜厚度的增加,两者的差值减小.这样一种增大的饱和磁化强度应该与反铁磁FeMn层对CoFeB超薄膜的钉扎有关.
[Abstract]:The magnetic properties of CoFeB ultrathin films grown on Si substrates and antiferromagnetic FeMn films at room temperature were studied.It is found that the saturation magnetization of CoFeB ultrathin films grown on antiferromagnetic FeMn films is higher than that of CoFeB ultrathin films grown directly on Si substrates, and the difference between them decreases with the increase of the thickness of CoFeB ultrathin films.Such an increase in saturation magnetization should be related to the pinning of CoFeB ultrathin films by the antiferromagnetic FeMn layer.
【作者单位】： 西南大学电子信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51372209)
【分类号】：O484

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