铝镓氮薄膜双光子吸收效应
本文选题:铝镓氮薄膜 + 双光子吸收 ; 参考:《发光学报》2017年12期
【摘要】:基于飞秒激发Z扫描实验技术,研究了氮化镓薄膜和不同铝掺杂含量的掺铝氮化镓(以下简称铝镓氮)薄膜的超快非线性光学响应特性。在开孔Z-scan测试中,纯Ga N晶体薄膜表现出典型的双光子吸收特性,双光子吸收系数为3.5 cm/GW,且随着激发光强的增大而逐渐减小。随后测试了不同铝掺杂含量的Al_xGa_(1-x)N薄膜的非线性吸收系数。结果表明,随着铝掺杂摩尔分数的提高(0,19%,32%,42%),非线性吸收系数逐渐减小(18,10,6,5.6 cm/GW)。结合半导体非线性吸收理论分析,Al_xGa_(1-x)N薄膜材料的非线性过程主要是双光子吸收主导非线性响应物理过程。实验结果与半导体双光子吸收过程Sheik-Bahae理论符合得很好。
[Abstract]:Based on the femtosecond excited Z scan technique, the ultrafast nonlinear optical response characteristics of gallium nitride thin films and aluminum-doped gallium nitride films with different Al doping contents were studied. In the open-hole Z-scan measurement, the pure gan thin films exhibit typical two-photon absorption characteristics, the two-photon absorption coefficient is 3.5 cm / GW, and decreases with the increase of excitation intensity. The nonlinear absorption coefficients of Al_xGa_(1-x)N thin films with different Al doping contents were then measured. The results show that the nonlinear absorption coefficient decreases gradually with the increase of Al doping molar fraction. Based on the nonlinear absorption theory of semiconductors, the nonlinear process of 1-xgan thin film material is mainly a physical process dominated by two-photon absorption. The experimental results agree well with the Sheik-Bahae theory of semiconductor two-photon absorption process.
【作者单位】: 中南大学物理与电子学院超微结构与超快过程湖南省重点实验室;东南大学先进光子学中心;
【基金】:国家自然科学基金(61222406,11174371)资助项目~~
【分类号】:O484.4
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,本文编号:1810795
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