氮氧化铝的原子层沉积制备及其阻变性能研究

发布时间：2018-10-13 08:52

【摘要】：以等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)技术生长氮氧化铝(AlNxOy)薄膜,磁控溅射Ag上电极制备结构为Ag/AlNxOy/Pt的阻变存储器(RRAM).器件呈现双极性阻变特性,正向开启电压稳定且分布窄,变化幅度集中在0.5V的范围内.高阻态和低阻态电阻之比超过103,并具有免激活特性.低温测试表明,器件的低阻态电阻和温度正相关,说明了阻变的机制为银导电细丝的形成和断裂.
[Abstract]:Alumina nitride (AlNxOy) thin films were grown by plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) technique. The resistive memory (RRAM). With Ag/AlNxOy/Pt structure was fabricated by magnetron sputtering Ag on the electrode. The device presents bipolarity resistive characteristics, the forward switching voltage is stable and the distribution is narrow, and the range of variation is concentrated in the range of 0.5 V. The ratio of high resistance state to low resistance state is over 103, and has the characteristics of non-activation. The low temperature measurement shows that the low resistance of the device is positively related to the temperature, indicating that the mechanism of the resistance is the formation and fracture of the silver conductive filament.
【作者单位】： 厦门大学物理科学与技术学院;
【基金】：福建省自然科学基金(2016J05163) 厦门大学校长基金(20720150028,20720160019)
【分类号】：TB383.2;TP333

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本文编号：2268004