基于A1N薄膜的压电超声换能器二维阵列的研究
【学位授予单位】:西安电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TB552
【图文】:
[15-17]。图1.1 种类丰富的超声换能器目前,对于 MUT 来说,根据工作机制主要分为压电式(PiezoelectricMicro-machined Ultrasonic Transducer, PMUT)和电容式(Capacitive Micro-machinedUltrasonic Transducers, CMUT)。PMUT 和 CMUT 在研究制作和应用范围上表现各有千秋,优势互补,共同发展[13]。1.1.1 电容式超声换能器CMUT 发展时间较早,从上世纪 90 年代开始,国际上已经开始出现相关文献报道。CMUT 结构简单,技术成熟,制造上基本使用传统的半导体工艺就能实现。CMUT属于静电换能器,其结构主要由两个电极板构成,如图 1.2 所示。其换能机制并不依赖于压电效应
压电效应原理示意图
这样的处理,不仅不会影响仿真的精确度,而且能够大幅度的缩减仿真时间,提高仿真效率。图3.4 简化模型纵向半截面示意图(a)纵向半截面几何模型(b)纵向半截面有限元模型其次,根据不同结构层的材料,建立不同材料的材料模型,输入各种材料参数。输入材料参数时,在 ANSYS 中,由于对称分析中需要以 y 轴为对称轴,而大部分压电材料参数矩阵的极化方向一般都是 z 轴向的,所以需要对压电材料参数矩阵进行坐标变换,将极化方向为 z 轴的参数矩阵变化为极化方向为 y 轴的参数矩阵,具体方法参见文献[66]。AlN 材料的相对介电常数矩阵为9.21 0 00 9.21 00 0 10.26S (3-15)AlN 材料的
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