超薄过渡金属硫化物气敏光敏传感器件研究
【学位单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2017
【中图分类】:TP212;TB383.2
【部分图文】:
每两层 TMDCs 是一个重复单元,而另外两种是亚稳态结 2H 构型 MX2[16]。学性质:TMDCs 具有多种导电类型,涵盖了从绝缘体到导S2是一种绝缘体[17],MoS2、WS2等属于半导体[18],NbS2、导电性[19-21]。有些 TMDCs,如 NbSe2、TaS2等,在低温环荷密度波和莫特转变等性能[11, 12, 21-23]。对于二维的 TMDCs层甚至单层时,由于二维材料量子限域效应的作用,二维 T材料的电学特性。如图 1-1(c)所示,以 MoS2为例,块体状态为 1.2 eV 的间接带隙半导体,带隙宽度如图中 Eg′所示,带隙宽度为 1.8 eV 的直接带隙半导体,带隙宽度如图中 Eg所性质,当 WS2由块体材料变为二维材料时,其带隙会展宽半导体[25, 26]。他性质:TMDCs 还具有良好的机械性能、电化学性能等,在感、储能器件、析氢器件中有潜在的应用[10, 25, 27-30]。这些DCs 在诸多领域有着广泛应用,成为当前的热点研究材料。
TMDCs 制备方法概述维 TMDCs 材料是研究其性质的基础,受机械剥离石墨烯的Cs 二维材料,主要采用机械剥离的方法[8, 32],为了满足大面要,人们研究出多种合成方法,包括液相剥离法[32-34]、化[15, 35-39]和原子层沉积(ALD)法等[40, 41],具体如下:械剥离法:因为 TMDCs 每层薄膜之间结合力较弱,采用的方法,可以从块体材料中直接剥离出薄膜,采用这种―自备高结晶性的二维 TMDCs 材料。K. S. Novoselov 等人发现硬质衬底上摩擦,可以在划痕中得到单层的二维材料,且用此方法,制备了不同种类的纳米片,如图 1-2 所示,为制备i2Sr2CaCuOx和 MoS2二维材料图片。虽然机械剥离的方法能层、纯净的 TMDCs 二维材料,为研究二维材料提供了良好的离法也存在一些缺点,如无法得到大面积薄膜、重复性不
电子科技大学硕士学位论文2)液相剥离法:将 TMDCs 粉末分散在有机溶剂或者有机溶剂的混合甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、异丙醇、二甲基甲酰胺(DMF)、丁内酯等,辅助,可以大量地制备 TMDCs 纳米片,之后通过离心等操作,可以大小的纳米片进行初步分离,便于后续使用[2, 6, 32, 42-47]。另外,通过,可以提高制备材料的效率和质量,如图 1-3 所示,将金属 Li 片作为 TMDCs 作为阴极,液体环境中通过加电压,有助于使 Li+进入 TM,之后通过超声作用,可以将块体 TMDCs 剥离成纳米片。其中的方面的作用:一方面,嵌入的 Li+可以扩大 TMDCs 层间的间距,有德瓦尔斯力;另一方面,Li+在放电的过程中可以与水反应生成 LiOH以将相邻的两层 TMDCs 推开,有利于形成二维材料。与机械剥离离纳米片的方法可以大量制备 TMDCs 二维材料,便于通过旋涂等工备,适用于电池、光解水等领域。但该方法也存在一定的缺点,如利于大面积制备等,不适用基于微细加工技术的高性能电子器件等领
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本文编号:2876905
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