二氧化锡基薄膜的制备、表征及电热性能的研究
发布时间：2020-12-04 19:05
功能性透明导电薄膜在日常生活中日趋重要。研究了以二氧化锡为主的电热薄膜,包括其制备方法和性能表征,设计了四种体系的二氧化锡基薄膜,采用XRD、FT-IR、FE-SEM、HR-TEM、四探针测试仪和热功率测试仪对样品的物相、形貌、结构和性能进行表征,并深入探讨了材料的电热性能,具体内容如下:（1）以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,无水乙醇作溶剂,溶胶-凝胶法制备SnO2:Sb（ATO）薄膜的前驱体溶液,再用超声喷雾热解法制得薄膜,并用XRD、FE-SEM、四探针测试仪及热功率测试仪对样品进行表征。结果表明:超声喷雾热解法可制备表面平整的ATO薄膜;Sb元素的掺杂并未改变SnO2的晶体结构,且随着沉积温度的增加,薄膜的结晶度提高;当沉积温度为500℃,n（Sb）:n（SnO2）=1.5at%,c（Sn）=0.6mol/L时方块电阻最小,为105Ω/□,施加220V电压最高加热温度达到213℃。（2）以SnCl4·5H2<...
【文章来源】：江苏大学江苏省
【文章页数】：81 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
SnO2晶胞结构图
二氧化锡基薄膜的制备、表征及电热性能的研究子形成整点中心；与之对应形成空穴的受主杂质形成负电中心。若半导体存在正电中心和负电中心时，它们之间相互抵消，成为杂质补偿作用；另导体的导电类型还与杂质浓度相关，施主杂质浓度大，半导体属于 n 型导主杂质浓度大，半导体属于 p 型导电；两种浓度近似，称为杂质的高度补想得到 n 型 SnO2半导体，可以通过掺杂 Sb5+或 F-[40]。但这两种掺杂类型同。例如：
二氧化锡基薄膜的制备、表征及电热性能的研究3.2.2 基底清洗镀膜使用 140×80×2.5mm 石英玻璃为基底材料，依次放入盐酸溶液、蒸馏水、氢氧化钠溶液、蒸馏水浸泡，清洗后放入无水乙醇中用超声波清洗 10min，取出后放在烘箱中干燥，最后放入等离子清洗机中清洗 30min，减小玻璃的表面张力。3.2.3 电热薄膜的制备实验所用的喷雾热解涂膜机[72]如图 3.1 所示。
【参考文献】：
期刊论文
[1]碳纳米管/环氧树脂原位复合薄膜的制备与性能[J]. 强磊,詹航,吴广,陈云,王健农. 材料科学与工程学报. 2018(06)
[2]CVD法制备石墨烯中碳源材料的研究进展[J]. 徐春雷,朱凌岳. 化工新型材料. 2018(09)
[3]碳纳米管薄膜的制备及性能研究[J]. 边策,冯钠,陈茹,郭界,孟双. 化工新型材料. 2018(08)
[4]磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al(AZO)薄膜的工艺探讨[J]. 陈英,郭卫. 玻璃. 2018(06)
[5]多壁碳纳米管/聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能研究[J]. 郭政华,雷丹妮,刘婷,吕芃,姜晓岗,翟燕. 山东化工. 2018(12)
[6]碳基采暖电热材料研究进展[J]. 张旗,刘太奇,张庆成. 材料导报. 2018(S1)
[7]电热膜启动特性和局部聚热的实验研究[J]. 施志钢,张伟光,刘龙. 暖通空调. 2018(02)
[8]浸渍胶膜纸制备电热功能胶合板的性能分析[J]. 杨生,桂宇帆,王振丰,朱贞谕,赛华,袁全平. 中国人造板. 2018(01)
[9]高温高发射率陶瓷材料的制备与研究[J]. 刘庆生,常晴,李江霖. 中国稀土学报. 2017(05)
[10]高红外辐射材料研究进展[J]. 杜贤武,刘刚锋,朱小平,丁翠娇. 中国陶瓷. 2017(08)
博士论文
[1]锰掺杂近红外发光材料的设计合成及光谱性能研究[D]. 张晓闻.华南理工大学 2017
[2]宽波段宽角度新型减反射膜的设计与制备研究[D]. 李资政.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2016
[3]高红外辐射无机非金属晶体材料的制备及其碱液蒸发应用研究[D]. 武晓燕.南开大学 2014
[4]Ⅱ-Ⅵ族半导体/二氧化锡纳米结构复合薄膜的制备及其应用性能研究[D]. 周晓明.吉林大学 2013
[5]纳米压痕法表征金属薄膜材料的力学性能[D]. 马增胜.湘潭大学 2011
硕士论文
[1]石墨烯电热材料的制备及性能研究[D]. 强丁丁.太原理工大学 2018
[2]石墨纳米片的改性及电热特性的研究[D]. 王洪扬.哈尔滨工业大学 2017
[3]红外辐射场下镧锰氧化物红外发射率特性研究[D]. 程国庆.安徽工业大学 2017
[4]In和S掺杂SnO2薄膜的制备、表征和光电性质的研究[D]. 王晓杰.吉林大学 2017
[5]SnO2:F和TiO2:Nb薄膜的制备、结构与性能研究[D]. 高兴婷.吉林大学 2017
[6]石墨烯—稀土掺杂铁氧体—聚苯胺纳米复合材料的制备与吸波性能研究[D]. 颜柱.江苏大学 2017
[7]SiO2f/SiO2复合材料表面高温高发射率红外辐射涂层的制备与研究[D]. 蔡华飞.国防科学技术大学 2015
[8]氟掺杂氧化锡薄膜的制备及其电学性能的研究[D]. 田均庆.哈尔滨理工大学 2015
[9]高温高发射率涂层的制备及性能研究[D]. 常云鹏.北京理工大学 2015
[10]铌掺杂二氧化钛透明导电氧化物薄膜的制备及其光电性能的优化[D]. 付振亚.郑州大学 2014
本文编号：2898093
【文章来源】：江苏大学江苏省
【文章页数】：81 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
SnO2晶胞结构图
二氧化锡基薄膜的制备、表征及电热性能的研究子形成整点中心；与之对应形成空穴的受主杂质形成负电中心。若半导体存在正电中心和负电中心时，它们之间相互抵消，成为杂质补偿作用；另导体的导电类型还与杂质浓度相关，施主杂质浓度大，半导体属于 n 型导主杂质浓度大，半导体属于 p 型导电；两种浓度近似，称为杂质的高度补想得到 n 型 SnO2半导体，可以通过掺杂 Sb5+或 F-[40]。但这两种掺杂类型同。例如：
二氧化锡基薄膜的制备、表征及电热性能的研究3.2.2 基底清洗镀膜使用 140×80×2.5mm 石英玻璃为基底材料，依次放入盐酸溶液、蒸馏水、氢氧化钠溶液、蒸馏水浸泡，清洗后放入无水乙醇中用超声波清洗 10min，取出后放在烘箱中干燥，最后放入等离子清洗机中清洗 30min，减小玻璃的表面张力。3.2.3 电热薄膜的制备实验所用的喷雾热解涂膜机[72]如图 3.1 所示。
【参考文献】：
期刊论文
[1]碳纳米管/环氧树脂原位复合薄膜的制备与性能[J]. 强磊,詹航,吴广,陈云,王健农. 材料科学与工程学报. 2018(06)
[2]CVD法制备石墨烯中碳源材料的研究进展[J]. 徐春雷,朱凌岳. 化工新型材料. 2018(09)
[3]碳纳米管薄膜的制备及性能研究[J]. 边策,冯钠,陈茹,郭界,孟双. 化工新型材料. 2018(08)
[4]磁控溅射镀膜生产ZnO∶Al(AZO)薄膜的工艺探讨[J]. 陈英,郭卫. 玻璃. 2018(06)
[5]多壁碳纳米管/聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能研究[J]. 郭政华,雷丹妮,刘婷,吕芃,姜晓岗,翟燕. 山东化工. 2018(12)
[6]碳基采暖电热材料研究进展[J]. 张旗,刘太奇,张庆成. 材料导报. 2018(S1)
[7]电热膜启动特性和局部聚热的实验研究[J]. 施志钢,张伟光,刘龙. 暖通空调. 2018(02)
[8]浸渍胶膜纸制备电热功能胶合板的性能分析[J]. 杨生,桂宇帆,王振丰,朱贞谕,赛华,袁全平. 中国人造板. 2018(01)
[9]高温高发射率陶瓷材料的制备与研究[J]. 刘庆生,常晴,李江霖. 中国稀土学报. 2017(05)
[10]高红外辐射材料研究进展[J]. 杜贤武,刘刚锋,朱小平,丁翠娇. 中国陶瓷. 2017(08)
博士论文
[1]锰掺杂近红外发光材料的设计合成及光谱性能研究[D]. 张晓闻.华南理工大学 2017
[2]宽波段宽角度新型减反射膜的设计与制备研究[D]. 李资政.中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所) 2016
[3]高红外辐射无机非金属晶体材料的制备及其碱液蒸发应用研究[D]. 武晓燕.南开大学 2014
[4]Ⅱ-Ⅵ族半导体/二氧化锡纳米结构复合薄膜的制备及其应用性能研究[D]. 周晓明.吉林大学 2013
[5]纳米压痕法表征金属薄膜材料的力学性能[D]. 马增胜.湘潭大学 2011
硕士论文
[1]石墨烯电热材料的制备及性能研究[D]. 强丁丁.太原理工大学 2018
[2]石墨纳米片的改性及电热特性的研究[D]. 王洪扬.哈尔滨工业大学 2017
[3]红外辐射场下镧锰氧化物红外发射率特性研究[D]. 程国庆.安徽工业大学 2017
[4]In和S掺杂SnO2薄膜的制备、表征和光电性质的研究[D]. 王晓杰.吉林大学 2017
[5]SnO2:F和TiO2:Nb薄膜的制备、结构与性能研究[D]. 高兴婷.吉林大学 2017
[6]石墨烯—稀土掺杂铁氧体—聚苯胺纳米复合材料的制备与吸波性能研究[D]. 颜柱.江苏大学 2017
[7]SiO2f/SiO2复合材料表面高温高发射率红外辐射涂层的制备与研究[D]. 蔡华飞.国防科学技术大学 2015
[8]氟掺杂氧化锡薄膜的制备及其电学性能的研究[D]. 田均庆.哈尔滨理工大学 2015
[9]高温高发射率涂层的制备及性能研究[D]. 常云鹏.北京理工大学 2015
[10]铌掺杂二氧化钛透明导电氧化物薄膜的制备及其光电性能的优化[D]. 付振亚.郑州大学 2014
本文编号：2898093
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