柔性石墨烯/PET基体保护膜的制备及复合薄膜性能研究
发布时间:2021-01-07 14:57
透明导电薄膜(Transparent conducting films,TCFs)是指在可见光(波长在380760nm)范围内的透光率为74%90%,方块电阻为几十欧姆的导电薄膜。它是一种重要的光电信息材料,作为前电极被广泛应用于太阳能电池、平面液晶显示器、传感器、飞机汽车挡风玻璃。透明导电薄膜的代表为铟锡氧化物透明导电薄膜(ITO)。此薄膜价格昂贵且脆性大,应用时厚度要求大于300nm,很难制成柔性电极。石墨烯具有良好的导电性、透光性、热学性能,强度大且超薄,同时石墨烯又具有可挠曲性,因此柔性石墨烯透明导电薄膜可以替代传统的脆性透明导电薄膜。但是石墨烯只有单层、双层或几层碳原子层厚,耐划伤性不理想,容易被破坏,进而失去它优异的特性。因此,如何制备出良好的石墨烯保护膜十分重要且有意义。本文旨在双层石墨烯/PET(dg/PET)基体上制备出石墨烯保护膜,使复合薄膜保持石墨烯的光电性能基本不变的同时,获得可挠曲性,并起到保护石墨烯的作用。分别采用磁控溅射和真空蒸镀两种制备方法,在dg/PET上制备ZnO、TiN、GaN三种不同材料的薄膜。分别采用...
【文章来源】:辽宁科技大学辽宁省
【文章页数】:59 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
磁控溅射原理图
(a)真空蒸镀镀膜机示意图(b)真空室内部示意图
复合薄膜结构示意图
【参考文献】:
期刊论文
[1]退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响[J]. 关钧,拜晓峰,端木庆铎. 半导体技术. 2018(02)
[2]非晶透明导电氧化物薄膜研究进展[J]. 张晓锋,颜悦,陈牧,刘宏燕,郝常山,张官理. 航空材料学报. 2018(01)
[3]银纳米线透明导电膜的制备及其在印刷电子中的应用[J]. 刘兰兰,周海华,李立宏,张兴业,宋延林. 影像科学与光化学. 2018(01)
[4]NiO/Ag/NiO透明导电膜光电特性研究[J]. 孙阳,修显武,何源,王森,滕树云,王书运. 真空科学与技术学报. 2018(01)
[5]二氧化锡透明导电薄膜的研究进展[J]. 冯梦现,黄新友,孙景峰,谢逊,陈磊,高春华. 中国陶瓷. 2018(01)
[6]转印法制备薄膜太阳能电池用银纳米线–聚合物复合透明导电薄膜[J]. 白盛池,汪海风,杨辉,郭兴忠. 硅酸盐学报. 2018(03)
[7]基于石墨烯-ZnO纳米线的复合电极在GaN LED中的应用[J]. 许坤,王一帆,解意洋,丁佩,杜银霄. 发光学报. 2016(12)
[8]石墨烯应用于GaN基材料的研究进展[J]. 徐昌一. 发光学报. 2016(07)
[9]高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究(英文)[J]. 宿世臣,裴磊磊,张红艳,王佳,赵灵智. 发光学报. 2016(02)
[10]粉末靶磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的特性[J]. 刘思宁,周艳文,吴川,吴法宇. 半导体技术. 2015(12)
本文编号:2962763
【文章来源】:辽宁科技大学辽宁省
【文章页数】:59 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
磁控溅射原理图
(a)真空蒸镀镀膜机示意图(b)真空室内部示意图
复合薄膜结构示意图
【参考文献】:
期刊论文
[1]退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响[J]. 关钧,拜晓峰,端木庆铎. 半导体技术. 2018(02)
[2]非晶透明导电氧化物薄膜研究进展[J]. 张晓锋,颜悦,陈牧,刘宏燕,郝常山,张官理. 航空材料学报. 2018(01)
[3]银纳米线透明导电膜的制备及其在印刷电子中的应用[J]. 刘兰兰,周海华,李立宏,张兴业,宋延林. 影像科学与光化学. 2018(01)
[4]NiO/Ag/NiO透明导电膜光电特性研究[J]. 孙阳,修显武,何源,王森,滕树云,王书运. 真空科学与技术学报. 2018(01)
[5]二氧化锡透明导电薄膜的研究进展[J]. 冯梦现,黄新友,孙景峰,谢逊,陈磊,高春华. 中国陶瓷. 2018(01)
[6]转印法制备薄膜太阳能电池用银纳米线–聚合物复合透明导电薄膜[J]. 白盛池,汪海风,杨辉,郭兴忠. 硅酸盐学报. 2018(03)
[7]基于石墨烯-ZnO纳米线的复合电极在GaN LED中的应用[J]. 许坤,王一帆,解意洋,丁佩,杜银霄. 发光学报. 2016(12)
[8]石墨烯应用于GaN基材料的研究进展[J]. 徐昌一. 发光学报. 2016(07)
[9]高效InGaN/AlInGaN发光二极管的结构设计及其理论研究(英文)[J]. 宿世臣,裴磊磊,张红艳,王佳,赵灵智. 发光学报. 2016(02)
[10]粉末靶磁控溅射制备AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的特性[J]. 刘思宁,周艳文,吴川,吴法宇. 半导体技术. 2015(12)
本文编号:2962763
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