基于Ba 0.6 Sr 0.4 TiO 3 和Zr 0.5 Hf 0.5 O 2 薄膜的电荷俘获及存储特性研究
发布时间：2021-01-24 09:40
电荷俘获存储器（charge trapping memory,CTM）在笔记本、手机和数码相机等各类消费电子产品中被广泛应用,并且以它低的写入/擦除电压,高的可伸缩性,以及比传统多晶硅浮栅存储器件优越的耐疲劳特性而倍受科技界的青睐。本论文中,制备并测试了基于单层钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜结构的CTM,在这里,BST薄膜既作俘获层又作阻挡层。这个金属/钛酸锶钡/二氧化硅/硅(metal/Ba0.6Sr0.4TiO3/SiO2/Si,MBOS)结构的器件表现出优秀的电荷俘获特性,在正负12V的扫描电压下存储窗口可以达到8.4V,经过1.08×104s仅有4%的电荷损失,快的写入/擦除速率和良好的耐疲劳特性。BST薄膜中的缺陷态性质通过测试薄膜的光致发光谱（photoluminescence,PL）和光致发光激发谱（photoluminescence excitation,PLE）得到。测试发...
【文章来源】：河北大学河北省
【文章页数】：58 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
汞延迟线存储器图片
图 1-2 磁带储器图片[2]是存储设备发展到第二个阶段产生的。它以其大的存储容量和低们青睐。磁带存储具有很好的互换性，给信息的存储带来了极备的研究的深入，进一步在磁带存储的读写速率和可靠性方面很大提升。存储设备的读写速率性能的提升得益于在通道技术方式。存储设备的可靠性性能的提升得益于在对信息进行安全处理力的编码方式。磁带库具有两大优势，一是拥有庞大的数据存储个数据的存储备份过程中一切无需人工占用。磁带库在网络系统，尤其是对于企业来说，他们利用磁带库可以在网络上实现数据间进行远程数据访问，数据备份和存储。储器发展的第三个阶段，图 1-3 为磁鼓储器的图片。
图 1-3 磁鼓储器图片[3]存储器的身份被用在了 IBM701 身上。使用铝这种鼓筒的表面，这样就实现了数据的存储。数据读写的阶段采用固定式磁头，并使用磁胶做磁介质，随着用浮动式磁头，磁介质改用电镀的连续磁介质，后于这些的。虽然磁鼓存储器有很快的存储速率，但由此，利用率很低，这是磁鼓存储的一大缺点。为了提储，大大提高了存储利用率。发展的第四个阶段，自 1959 年到 1979 年在计算机中芯储器的图片。
本文编号：2997026
【文章来源】：河北大学河北省
【文章页数】：58 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
汞延迟线存储器图片
图 1-2 磁带储器图片[2]是存储设备发展到第二个阶段产生的。它以其大的存储容量和低们青睐。磁带存储具有很好的互换性，给信息的存储带来了极备的研究的深入，进一步在磁带存储的读写速率和可靠性方面很大提升。存储设备的读写速率性能的提升得益于在通道技术方式。存储设备的可靠性性能的提升得益于在对信息进行安全处理力的编码方式。磁带库具有两大优势，一是拥有庞大的数据存储个数据的存储备份过程中一切无需人工占用。磁带库在网络系统，尤其是对于企业来说，他们利用磁带库可以在网络上实现数据间进行远程数据访问，数据备份和存储。储器发展的第三个阶段，图 1-3 为磁鼓储器的图片。
图 1-3 磁鼓储器图片[3]存储器的身份被用在了 IBM701 身上。使用铝这种鼓筒的表面，这样就实现了数据的存储。数据读写的阶段采用固定式磁头，并使用磁胶做磁介质，随着用浮动式磁头，磁介质改用电镀的连续磁介质，后于这些的。虽然磁鼓存储器有很快的存储速率，但由此，利用率很低，这是磁鼓存储的一大缺点。为了提储，大大提高了存储利用率。发展的第四个阶段，自 1959 年到 1979 年在计算机中芯储器的图片。
本文编号：2997026
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