二硫化钨薄膜的可控制备及其表面增强拉曼研究

发布时间：2021-01-27 20:10

　　近年来,二维类石墨烯材料由于其优异的光、电、力学等性质吸引了大量工作者的广泛研究。单层的二维过渡金属硫族化合物（TMDs）材料具有石墨烯所不具备的直接带隙,在诸多领域均有较大的应用潜质,相比于其他的二维TMDs材料,WS₂具备密度和分子量较高,自旋轨道耦合强,且具有双极性电子输运特性等优势,得到了广泛的应用。但是可控地合成WS₂仍然面临着巨大的挑战,本文利用化学气相沉积法可控地制备出大面积、高质量的WS₂薄膜,分析了不同生长参数对WS₂薄膜形貌的影响,探索了其生长机制,并研究了WS₂薄膜对R6G分子的拉曼增强效果,研究的内容主要包括以下几个方面:首先,通过传统的低压化学气相沉积法,在SiO₂（300nm）/Si衬底上成功制备出WS₂薄膜,分析出三种生长参数（S引入时间,WO₃前驱体温度和生长温度）对生长所得到的产物以及产物形貌的影响,发现生长所得到的产物以及产物的形貌高度依赖于S前驱体浓度、W前驱体浓度和W原子与... 

【文章来源】：南京邮电大学江苏省

【文章页数】：62 页

【学位级别】：硕士

【图文】：

基于石墨烯结构的富勒烯、碳纳米管和石墨[2]

（a）WS2结构典型三维结构示意图（b）WS2面内晶体结构（c）WS2面外晶体结构

图 1.3 二硫化钨的三种晶体结构种堆垛方式，其中最常见的三种晶体结构2H 和 3R 这两种晶体结构是天然存在的出半导体行为。这三种晶体结构分别属于构；2H 属于三方晶系，为六方配位结构R 属于斜方对称晶系，为菱形对称结构，C 的方式堆垛。值得一提地是，单层二硫两种排列方式。在 1T 这种排序方式中方柱面体配位，排序方式 1H 是单层 WS构示，块状二硫化钨表现为间接半导体特性


本文编号：3003654