Sc掺杂对AlN/金刚石薄膜质量的影响

发布时间：2021-02-07 07:18

　　采用射频磁控反应溅射在金刚石/Si衬底上制备不同Sc含量的Sc_xAl_1-xN薄膜,并研究了Sc掺杂对薄膜沉积速率、表面粗糙度、晶体取向及压电性能的影响。结果表明,薄膜沉积速率随Sc靶功率的增加近似呈线性增长;合适的Sc掺杂能降低Sc_xAl_1-xN薄膜的表面粗糙度,提高AlN的C轴择优取向程度,并增强薄膜的压电性能;在0³4%范围内Sc的最优掺杂量为19%,此时薄膜整体质量最高,其表面粗糙度为2.95 nm,AlN（002）取向摇摆曲线半高宽为2.8°,压电常数为11.6 pm/V。 

【文章来源】：材料热处理学报. 2016,37(S1)北大核心

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
1 实验材料与方法
2 结果与分析
    2.1 Sc掺杂对薄膜沉积速率的影响
    2.2 Sc掺杂对薄膜表面粗糙度的影响
    2.3 Sc掺杂对Al N晶体取向的影响
    2.4 Sc掺杂对薄膜压电性能的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制[J]. 胡作启,王宇辉,谢子健,赵旭.  华中科技大学学报(自然科学版). 2012(01)

硕士论文
[1]高频大功率声表面波器件的AIN/金刚石多层膜制备及性能研究[D]. 杨世兴.天津理工大学 2009



本文编号：3021890