基于激光脉冲沉积(PLD)法制备的二维MoS 2 的生长及其光电性能的研究
发布时间:2021-03-10 02:09
近年来,基于新型二维材料的电子/光电子器件,在量子信息、航空航天、环境监测、高性能硬件领域展现了巨大的潜力。而如何利用常规方法直接生长出的大面积、均匀的二维材料薄膜在实际应用中至关重要。在本论文中,我们探究了利用激光脉冲沉积法(PLD)制备大面积、均匀且层数可控的MoS2薄膜,并研究了基于多层MoS2薄膜基场效应晶体管的输运特性和MoS2薄膜基光电探测器的层数依赖特性。结果表明利用激光脉冲沉积法生长的二维材料薄膜有潜力应用到未来的工业器件中。本论文研究了利用激光脉冲沉积法采用控制脉冲数量的方式生长大面积的均匀MoS2薄膜,进而探究由多层MoS2薄膜制备的场效应晶体管和不同厚度的MoS2薄膜制备的光电探测器性能。主要结果如下:1、拉曼光谱和透射电子显微镜结果表明生长在SiO2/Si衬底上的MoS2薄膜是层数可控的,基于多层MoS2薄膜的场效应晶体管器件展现了较高的开关比(500)和较高的载流子迁移率(0.124 cm2V-1S-1)。2、黑暗条件下的输出特性表明在金与MoS2薄膜接触面存在肖特基结。制备的金属-半导体-金属形式的MoS2薄膜基光电探测器展现了从紫外到红外范围内的宽谱响应。...
【文章来源】:北京邮电大学北京市 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:53 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2-1激光脉冲沉积法生长原理及设备实体图??
可理解为电子与氩原子碰撞使其电离为离子形态,氩离子在电场的作用下加速轰??击材料靶材,使材料漉射出来沉积到衬底表面形成薄膜。??实验中我们采用的是JGP-405a双室磁控溅射沉积系统,如图2-2所示:??图2-2磁控溅射系统设备图??2.3薄膜的表征技术手段??13??
这些球面波会相互作用而叠加,可理解为相干散射或相干衍射。由于衍射??花样可以反映晶体内原子的分布规律,所以不同的晶体所产生的衍射花样不同,??但都是以布拉格定律为基础的,X射线衍射原理可见图2-4。如图所示,X射线??14??
本文编号:3073872
【文章来源】:北京邮电大学北京市 211工程院校 教育部直属院校
【文章页数】:53 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
图2-1激光脉冲沉积法生长原理及设备实体图??
可理解为电子与氩原子碰撞使其电离为离子形态,氩离子在电场的作用下加速轰??击材料靶材,使材料漉射出来沉积到衬底表面形成薄膜。??实验中我们采用的是JGP-405a双室磁控溅射沉积系统,如图2-2所示:??图2-2磁控溅射系统设备图??2.3薄膜的表征技术手段??13??
这些球面波会相互作用而叠加,可理解为相干散射或相干衍射。由于衍射??花样可以反映晶体内原子的分布规律,所以不同的晶体所产生的衍射花样不同,??但都是以布拉格定律为基础的,X射线衍射原理可见图2-4。如图所示,X射线??14??
本文编号:3073872
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