Si掺杂化学共沉淀法制备氧化锌压敏电阻

发布时间：2021-04-03 02:35

　　本文在ZnO压敏电阻器的配方中掺入Si元素替换Cr元素,工艺上采用化学共沉淀法制备纳米粉体材料,通过化学共沉淀法制备制备了高纯、超细、均匀的优质复合粉体。掺杂Si后烧结过程中阻碍了晶粒长大,提高了压敏电阻梯度,该方法把梯度由原来的（200-220）V/mm由提高到（350-380）V/mm。添加剂的总质量减少40%以下,烧结温度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生产成本。 

【文章来源】：电子技术与软件工程. 2020,(19)

【文章页数】：2 页

【部分图文】：

传统方法和化学共沉淀法制备的料桨经砂磨后粒度对比


本文编号：3116444