当前位置:主页 > 管理论文 > 工程管理论文 >

多弧离子镀制备Ti/TiN多层薄膜的摩擦学和耐腐蚀性能

发布时间:2021-06-06 13:59
  TiN作为第一个产业化的硬质薄膜,经历近四十年的发展,依旧活跃在工业防护领域的方方面面。由于TiN薄膜的优越性能,硬度高、韧性好、与基体结合强度高、低的电阻率、抗磨损、耐腐蚀,且制备工艺符合绿色制造业理念,所以TiN薄膜在功能和应用领域仍有较大范围的提升空间。随着社会的进步与工业的发展,人们对于薄膜的综合性能要求越来越高,并且针对不同的使役需求开发出具有特殊性能的薄膜。而TiN由于自身缺陷,例如柱状晶结构,以及500℃以上易氧化性,限制了其在一定范围内的应用。Ti/TiN多层薄膜的沉积有助于抑制TiN柱状晶的生长,可提高单层TiN薄膜的硬度、韧性以及膜基结合力,显著改善薄膜的力学性能和耐磨损耐腐蚀性能。本文利用多弧离子镀设备通过改变Ti层和TiN层沉积时间,制备出不同调制比的Ti/TiN多层膜,并通过对比TiN单层薄膜,考察了不同调制比下Ti/TiN多层膜的力学性能、摩擦磨损性能以及电化学性能,结果表明:(1)制备的TiN单层薄膜柱状晶明显,Ti/TiN多层膜结构致密,且无明显缺陷。Ti/TiN多层膜均含有Ti和TiN两相,其中TiN相具有(111)面择优取向。多层膜的粗糙度均降低,表... 

【文章来源】:兰州理工大学甘肃省

【文章页数】:57 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

多弧离子镀制备Ti/TiN多层薄膜的摩擦学和耐腐蚀性能


薄膜沉积系统实物图

表面形貌,基薄膜,表面形貌


膜的微观形貌的差异会导致材料性能的差异,通过扫描电子显微镜(SEM仅能直观观察到薄膜表面状态,测量出薄膜厚度,还能通过薄膜的力学性能分析、摩擦学性能的作用机理提供依据。图iN 多层膜的表面形貌图像,在 100 倍图像下可以看出,薄膜在。在 1000 倍图像下看到表面分布有颗粒熔滴,随着 Ti/T粒数量呈降低趋势,颗粒逐渐细化,表面致密度随调制比增图像中薄膜表面无明显的孔洞等缺陷,薄膜呈现出较好的致 TiN 单层及 Ti/TiN 多层膜的截面形貌图像。图(a)为 TiN 单 典型柱状晶结构,图(b)、图(c)、图(d)和图(e)分别为样品 S1:7 截面图像,多层薄膜结构致密,无贯穿膜层的大颗粒,T,且薄膜系统与基体结合紧密,无明显缝隙。

形貌,基薄膜,形貌,截面


iN 基薄膜截面形貌: (a) S1-TiN Single, (b) S2-1:1, (c) S3-1:3, (d) S4-1:膜物相分析 TiN 单层薄膜与 Ti/TiN 多层膜 XRD 谱。可以看出,TiN 单iN 多层膜中含有Ti 和TiN两相。四组多层膜样品中,Ti 相在射峰,随着 TiN 层沉积时间的增加,Ti 相衍射峰逐渐减弱11)、(200)、(220)和(311)面出现明显衍射峰,随着 TiN 层沉强度逐渐增强,且TiN相的(111)晶面衍射强度明显高于(200)片(87-0629)中,(111)晶面的衍射强度是(200)晶面衍射强度膜中 TiN 相出现(111)面择优取向。这是由于多弧离子镀弧率,增大了离子的迁移能,使得溅射出的粒子向着表面能较能量,从而出现(111)面择优取向[57]。研究表明,具有(111磨性、膜基结合力、硬度等力学性能上表现出更优异的特性

【参考文献】:
期刊论文
[1]低温等离子体辅助脉冲直流磁控溅射制备TiN薄膜[J]. 吕起鹏,李刚,公发全,王锋,卢俊,孙龙,金玉奇.  真空科学与技术学报. 2014(11)
[2]多弧离子镀Ti/TiN膜的耐磨耐蚀性研究[J]. 李忠厚,马芹芹,杨迪,宫学博,郭腾腾.  热处理技术与装备. 2014(04)
[3]电弧离子镀方法制备的Ti/TiN多层膜的结构与耐腐蚀性能[J]. 宋贵宏,娄茁,李锋,陈立佳.  中国有色金属学报. 2012(02)
[4]偏压对铀表面多弧离子镀Ti/TiN多层膜的结构及抗腐蚀性能影响研究[J]. 刘天伟,王小英,江帆,唐凯,魏强.  原子能科学技术. 2011(08)
[5]物理气相沉积技术的研究进展与应用[J]. 吴笛.  机械工程与自动化. 2011(04)
[6]CrN基复合薄膜的结构及摩擦磨损性能研究[J]. 张广安,王立平,刘千喜,薛群基.  摩擦学学报. 2011(02)
[7]硬质薄膜研究综述[J]. 李根,张高会.  宁波教育学院学报. 2010(05)
[8]反应等离子喷涂TiN涂层电化学腐蚀行为[J]. 李莎,阎殿然,董艳春,王师,高国旗,张志彬.  北京科技大学学报. 2009(09)
[9]化学气相沉积技术的研究与应用进展[J]. 杨西,杨玉华.  甘肃水利水电技术. 2008(03)
[10]电弧离子镀TiN及其复合膜的腐蚀机理探讨[J]. 史新伟,李杏瑞,邱万起,刘正义.  真空科学与技术学报. 2006(04)



本文编号:3214522

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/guanlilunwen/gongchengguanli/3214522.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户28e55***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com