氧化镓薄膜的择优取向制备及其应用研究
发布时间：2021-07-08 03:42
Ga2O3作为宽禁带的半导体氧化物材料,在光电、压电、气敏、光敏等领域具有广阔的或潜在的应用前景。目前国内外对Ga2O3材料的研究主要集中在利用多晶以及单晶的Ga2O3制备出性能良好的日盲紫外探测器,单晶Ga2O3作有源层可以得到良好的紫外探测性能,但制备成本高昂,多晶Ga2O3薄膜结晶质量较差,作有源层其导电性能太差,不利于作为器件使用。具有高度择优取向的Ga2O3薄膜介于多晶与单晶之间,具有良好的光电性能。本文在此基础上,以碳化硅和蓝宝石作为衬底,采用磁控溅射法制备择优取向的Ga2O3薄膜,考虑到氧化镓与这两者的晶格失配,选取与b轴平行的晶面为生长面,可实现与衬底之间较小的晶格失配,有利于提高薄膜结晶质量,并能有效改善薄膜导电性。因此,本论文基于碳化硅和蓝宝石衬底上制备择优取向的...
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：65 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
β-Ga2O3的晶体结构
的发射最为有效，通常来源于宽度约为 4.9 eV，但本征的 β- β-Ga2O3是一种阴离子密堆积，通过 GaO4的六面体连接链与晶格内部具有较多氧空位，可以用 β-Ga2O3不同晶向的籽晶生得不同取向的单晶其电导率和载46 cm2V-1s-1，and 2.2 S·cm-1可以从载流子浓度和迁移率两方a 原子可以有效增强其导电性但而在提高迁移率方面可以通过衬底的（0001）晶面可以优先时 b 轴和衬底平行，8 面体的 G载流子电子所遵循的路径。
图 1-3 探测器的伏安特性(a) 无光照时 (b) 254 nm 光照下探测器的伏安特性[27]图 1-4 254 nm 光照下探测器的时间响应(a) 探测器 7 次开关的时间响应 (b) 探测器一次响应过程的放大[27]2009 年，Rikiya Suzuki[28]等人基于 β-Ga2O3单晶体制备了与 Au 形成肖特基接触的氧化镓光电二极管，并对其进行适当温度的退火处理，以避免在金属与半导体材料间形成高电阻层阻碍电流的传输，从而调整金属与氧化镓表面薄膜的势垒
【参考文献】：
期刊论文
[1]气体分子碰撞频率和平均自由程的推导[J]. 张炜. 大学物理. 1988(01)
本文编号：3270785
【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：65 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
β-Ga2O3的晶体结构
的发射最为有效，通常来源于宽度约为 4.9 eV，但本征的 β- β-Ga2O3是一种阴离子密堆积，通过 GaO4的六面体连接链与晶格内部具有较多氧空位，可以用 β-Ga2O3不同晶向的籽晶生得不同取向的单晶其电导率和载46 cm2V-1s-1，and 2.2 S·cm-1可以从载流子浓度和迁移率两方a 原子可以有效增强其导电性但而在提高迁移率方面可以通过衬底的（0001）晶面可以优先时 b 轴和衬底平行，8 面体的 G载流子电子所遵循的路径。
图 1-3 探测器的伏安特性(a) 无光照时 (b) 254 nm 光照下探测器的伏安特性[27]图 1-4 254 nm 光照下探测器的时间响应(a) 探测器 7 次开关的时间响应 (b) 探测器一次响应过程的放大[27]2009 年，Rikiya Suzuki[28]等人基于 β-Ga2O3单晶体制备了与 Au 形成肖特基接触的氧化镓光电二极管，并对其进行适当温度的退火处理，以避免在金属与半导体材料间形成高电阻层阻碍电流的传输，从而调整金属与氧化镓表面薄膜的势垒
【参考文献】：
期刊论文
[1]气体分子碰撞频率和平均自由程的推导[J]. 张炜. 大学物理. 1988(01)
本文编号：3270785
本文链接：https://www.wllwen.com/guanlilunwen/gongchengguanli/3270785.html
