a-Si∶H/a-SiC∶H多层薄膜的光、电特性研究
发布时间：2021-11-01 04:54
采用射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术,以SiH4、CH4和H2为反应气体,在单晶硅和石英衬底上制备a-Si∶H/a-SiC∶H多层薄膜。利用透射电子显微镜（TEM）对样品的微结构进行了表征,同时对其电子输运性质和光吸收特性进行了实验研究。结果表明,本实验条件下制备的多层薄膜样品为非晶态多层薄膜结构,并且样品具有良好的周期性结构和陡峭的界面特性。室温条件下,样品在垂直方向上呈现出多势垒顺序共振隧穿特性。由于量子限制效应,当a-Si∶H势阱层厚度<8nm,随着势阱层厚度减小,样品的光学带隙增大,光吸收系数减小。
【文章来源】：功能材料. 2016,47(10)北大核心CSCD
【文章页数】：4 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
2.1 微结构表征
2.2 载流子输运特性
2.3 光吸收特性
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性[J]. 马蕾,蒋冰,陈乙豪,沈波,彭英才. 物理学报. 2014(13)
[2]The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory[J]. 汤振杰,李荣,殷江. Chinese Physics B. 2013(06)
[3]Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structures[J]. 陶也了,左玉华,郑军,薛春来,成步文,王启明,徐骏. Chinese Physics B. 2012(07)
本文编号：3469534
【文章来源】：功能材料. 2016,47(10)北大核心CSCD
【文章页数】：4 页
【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
2.1 微结构表征
2.2 载流子输运特性
2.3 光吸收特性
3 结论
【参考文献】：
期刊论文
[1]nc-Si:H/α-SiC:H多层膜的结构与光吸收特性[J]. 马蕾,蒋冰,陈乙豪,沈波,彭英才. 物理学报. 2014(13)
[2]The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory[J]. 汤振杰,李荣,殷江. Chinese Physics B. 2013(06)
[3]Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structures[J]. 陶也了,左玉华,郑军,薛春来,成步文,王启明,徐骏. Chinese Physics B. 2012(07)
本文编号：3469534
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