退火温度对PECVD法制备SiO 2 /Si 3 N 4 光学薄膜性能的影响

发布时间：2023-03-26 21:13

　　基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO₂/Si₃N₄双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征,研究不同退火温度对薄膜性能的影响。结果表明:退火前后薄膜均为结晶态;随着退火温度升高,薄膜反射率及粗糙度逐渐降低,700℃时薄膜平均反射率及粗糙度最低,分别为12.65%和1.64 nm;退火后光谱曲线往短波方向移动了30 nm,呈现典型的"蓝移"现象,表明退火后薄膜光学厚度逐渐降低。

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【文章目录】：
1 模型方法与实验
    1.1 膜系设计原理
    1.2 样品制备
    1.3 样品表征
2 结果与讨论
    2.1 薄膜质量分析
    2.2 薄膜结构分析
    2.3 光学性能分析
3 结论



本文编号：3771744