阳极Ta/Ta 2 O 5 的薄膜曲界面结构特征及形成机理

发布时间：2023-05-13 09:55

　　采用电化学方法制备了钽电解电容器阳极.通过场发射扫描电镜和理论分析对钽阳极断面的曲面结构特征及其形成机理进行了研究.研究结果发现Ta/Ta₂O₅的薄膜曲界面存在间隙层(<1nm),该间隙层为氧空位及其缺陷离子迁移所致;曲面结构的应力模型表明曲面薄膜界面的电化学生长过程生产缺陷浓度高于平面系统,讨论了钽电解电容器曲面薄膜的形成过程对电场应力畸变屏蔽的机理.

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【文章目录】：
1 前言
2 实验部分
3 结果与讨论
    3.1 薄膜断面形貌及简化模型
    3.2 曲面薄膜生长电化学过程
    3.3 曲面应力与缺陷模型
4 结论



本文编号：3815695