射频功率对富硅-氮化硅薄膜结构及性质影响

发布时间：2017-06-20 19:17

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【摘要】：采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和N_2为反应气源,通过改变射频功率制备富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里叶变换红外吸收光谱,紫外-可见光透射光谱,扫描电镜等对薄膜材料结构与性质进行表征。实验表明,随着射频功率的逐渐增加,薄膜光学带隙缓慢减小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H键、N-H键缓慢减小,Si-N键增多。分析结果发现,适量的增加射频功率有利于提高样品反应速率,使薄膜有序度增加,致密性增强,提高薄膜质量,但过高的射频功率会使薄膜质量变差。
【作者单位】： 内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室;
【关键词】： 富硅-氮化硅薄膜 等离子增强化学气相沉积 射频功率 沉积速率
【基金】：国家自然科学基金(51262022)
【分类号】：O613.72;TB383.2
【正文快照】： 1引言氮化硅薄膜因其高致密性、高绝缘强度、高折射率等良好的性质,被广泛应用于太阳能电池、微电子学等领域[1-3]。而今,随着高效太阳能电池材料的不断深入研究,包埋硅纳米颗粒的介质薄膜因具有带隙可调等优点,而被用于制备新型的太阳能电池当中,且逐渐被业内人士所重点研究[

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1 刘全吉,迟会,逯笑波,岑明;等离子发射光谱法同时测定水中十二种微量元素[J];化学工程师;1999年06期

2 ;[J];;年期

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本文编号：466659