原子层沉积AZO薄膜及晶硅表面钝化研究
发布时间:2017-07-05 12:02
本文关键词:原子层沉积AZO薄膜及晶硅表面钝化研究
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【摘要】:AZO薄膜是在ZnO中掺入Ⅲ族元素Al后而形成的,该薄膜不仅具有较高的载流子浓度和低电阻率,而且具有较好的光透过性,是一种优秀的透明导电薄膜。AZO薄膜成本低廉、接近氧化铟锡薄膜的电阻率,是目前最有可能替代ITO薄膜,在发光二极管、薄膜晶体管、太阳能电池等领域展示了良好发展前景。本文采用原子层沉积技术在石英基体上制备AZO薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X射线衍射仪、Raman光谱仪、紫外可见分光光度计、PL光谱、X射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分、光学与电学性能进行了表征和分析,并利用AZO钝化晶硅表面并研究其钝化机理。 研究不同铝锌循环比例对AZO薄膜性能的影响表明,随着铝锌循环比例增加,纤锌矿结构的AZO薄膜的(002)晶面生长受到抑制,晶粒尺寸减小,薄膜内晶界与缺陷增多;电阻率先降低后升高,铝锌循环比例为1:19,,电阻率最低,所有AZO薄膜可见光透射率大于80%,紫外吸收边出现蓝移现象,光学禁带宽度提高。 研究不同沉积温度对AZO薄膜性能的影响表明,沉积温度升高,纤锌矿结构的AZO(100)晶面生长受到抑制,促进了(002)晶面生长,表现出明显c轴取向;晶体质量先提高后降低,当沉积温度为150℃时,薄膜的晶体质量最佳,缺陷浓度最低,电阻率最低,为4.61×10-4cm;AZO薄膜的可见光透射率均大于80%,紫外吸收边出现蓝移。 AZO薄膜钝化p型晶硅表面性能的研究表明,AZO钝化p型晶硅,少子寿命由钝化前的4.27μs提升至钝化后的49.97μs,少子寿命提升近11倍,表面复合速率由钝化前Seff"f5.3×103cm/s,降低为Seff"f500cm/s,表面复合速率降低了一个数量级,说明AZO薄膜具有良好的晶硅钝化效果,该种钝化机制属于化学钝化。
【关键词】:铝参杂氧化锌 原子层沉积 低温生长 晶态薄膜 太阳能电池钝化
【学位授予单位】:辽宁工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:TB383.2;TM914.4
【目录】:
- 摘要5-6
- Abstract6-9
- 1 绪论9-22
- 1.1 引言9-10
- 1.2 AZO 结构与掺杂10-12
- 1.3 AZO 薄膜光电性质12-15
- 1.3.1 AZO 薄膜的光学特性12-13
- 1.3.2 AZO 薄膜的电学特性13-15
- 1.4 AZO 薄膜制备方法15-18
- 1.4.1 磁控溅射15-16
- 1.4.2 金属有机物化学气相沉积16
- 1.4.3 原子层沉积16-18
- 1.5 AZO 薄膜在太阳能电池上的应用18-21
- 1.6 本课题的研究意义与内容21-22
- 2 原子层沉积制备 AZO 薄膜与表征方法22-29
- 2.1 实验原料及预处理22
- 2.2 原子层沉积设备及操作流程22-24
- 2.3 实验方案设计24-26
- 2.3.1 AZO 薄膜沉积方法及改进24-25
- 2.3.2 AZO 薄膜制备方案设计25-26
- 2.3.3 AZO 薄膜钝化方案设计26
- 2.4 检测仪器26-29
- 3 铝锌循环比例对 AZO 薄膜性能的影响29-38
- 3.1 AZO 薄膜生长速率29-30
- 3.2 AZO 薄膜晶体结构30-31
- 3.3 AZO 薄膜表面形貌31-32
- 3.4 AZO 薄膜成分分析32-33
- 3.5 AZO 薄膜电学性能33-34
- 3.6 AZO 薄膜光学性能34-37
- 3.7 小结37-38
- 4 沉积温度对 AZO 薄膜结构及性能的影响38-46
- 4.1 AZO 薄膜生长速率38-39
- 4.2 AZO 薄膜晶体结构39-41
- 4.3 AZO 薄膜电学性能41-42
- 4.4 AZO 薄膜透射光谱分析42-43
- 4.5 AZO 薄膜光致发光谱分析43-45
- 4.6 小结45-46
- 5 AZO 表面钝化晶硅太阳能电池46-54
- 5.1 AZO 表面钝化技术的提出46-48
- 5.2 AZO 薄膜厚度对晶硅钝化性能的影响48-49
- 5.3 退火工艺对晶硅钝化性能的影响49-51
- 5.4 AZO 薄膜钝化晶硅机制51-53
- 5.5 小结53-54
- 6 结论54-55
- 参考文献55-58
- 攻读硕士期间发表学术论文情况58-59
- 致谢59
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 陈新亮;薛俊明;孙建;赵颖;耿新华;;绒面ZnO薄膜的生长及其在太阳电池前电极的应用[J];半导体学报;2007年07期
本文编号:521844
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