氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

发布时间：2017-07-20 14:25

  本文关键词：氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

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【摘要】：采用低压化学气相沉积(LPCVD)在玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)薄膜,研究了氢气气氛退火对BZO薄膜光学性能和电学性能的影响。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的物相结构和透光率基本无变化,但BZO薄膜的导电能力却明显提高。Hall测试结果表明:在氢气下退火时载流子浓度基本保持不变,但迁移率却明显提高。实验结果可为进一步提高BZO薄膜的光学电学综合性能提供借鉴。
【作者单位】： 江西科技学院协同创新中心;江西科技学院管理学院;浙江正泰太阳能科技有限公司;
【关键词】： 低压化学气相沉积 ZnO薄膜 光学性能 载流子浓度 霍尔迁移率
【基金】：江西科技学院博士科研启动基金 “863”国家高技术发展计划(2012AA052401) 国家自然科学基金(21571095)资助项目
【分类号】：O484
【正文快照】： 1引言近年来,透明导电氧化物(TCO)作为透明电极在薄膜太阳能电池[1-3]、异质结太阳能电池[4]、染料敏化太阳能电池[5]及有机太阳能电池[6]中得到了广泛研究和应用,并为薄膜太阳能电池成本降低及市场推广发挥了重要作用。作为电极窗口材料,TCO必须具有高的导电能力,以保证光生

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4 傅广生,董丽芳,李晓苇,韩理,张连水,吕福润;TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究[J];半导体学报;1990年03期

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本文编号：568505