第二步沉积速率和钠掺杂对低温生长铜铟镓硒薄膜结构及电阻率的影响

发布时间：2017-08-04 17:24

  本文关键词：第二步沉积速率和钠掺杂对低温生长铜铟镓硒薄膜结构及电阻率的影响

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【摘要】：首先采用热蒸发法在镀钼的PI衬底上沉积NaF薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积NaF的PI衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明:随着第二步沉积速率增大,CIGSe薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204)择优取向生长逐渐增强;随着钠掺杂量增加,CIGSe薄膜的电阻率显著下降,晶粒尺寸逐渐减小,择优取向从(220/204)织构方向转变为(112)织构方向,并出现镓的两相分离现象。
【作者单位】： 上海电机学院数理教学部;上海太阳能科技有限公司;
【关键词】： 铜铟镓硒薄膜 沉积速率 钠掺杂 低温生长
【分类号】：TM914.4;TB383.2
【正文快照】： 0引言铜铟镓硒(CIGSe)薄膜太阳能电池因转换效率高、制造成本低以及性能稳定等优点而成为国际光伏界的研究热点之一。目前,在玻璃衬底上制备的小面积CIGSe薄膜电池的转换效率已达20.8%[1]。以聚酰亚胺(PI)为衬底的柔性CIGSe薄膜太阳电池具有可卷曲、质量比功率高、适合卷对卷

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本文编号：620822