石墨烯薄膜高频介电特性的测量研究
本文关键词:石墨烯薄膜高频介电特性的测量研究
【摘要】:随着微波技术的日益发展,微波材料已广泛应用于多个领域,如能源、通信、生物医药、电子等。电子元器件的发展越来越趋于集成化和薄膜化,新型功能性薄膜材料正在广泛地研制和应用。微波材料电磁特性的研究和测量已成为现代科学技术的重要组成部分。准确的测量功能薄膜材料的电磁特性,对其在工程实践中的应用具有十分重要的意义。目前,国内外测量材料电磁特性的方法有传输线法、谐振腔法、四探针法等。传输线法和谐振腔法需要特定尺寸的样品,不能测量微纳米结构的薄膜样品,且测试过程中不同程度的损坏样品。四探针法不能测量样品的高频特性。因此,迫切需要一种可以无损测量微纳米结构材料的测量方法。本文基于近场微波扫描显微镜的原理,搭建了一种无损高效测量材料高频介电特性的一套系统。近场微波扫描显微镜是利用探针靠近样品时,探测谐振腔的品质因数或谐振频率的偏移量,然后通过软件仿真探针样品模型的方法得到样品的介电常数、电导率等物理量。本文通过对几种不同谐振腔结构进行分析,该系统选取λ/4的同轴谐振腔作为测试核心部分,并对使用HFSS对谐振腔仿真,确定谐振腔中探针和天线尺寸。接着推导了谐振腔中材料微扰的计算公式,并引出近场扫描显微镜中定量测量介电常数的理论公式和电导率的理论公式。采用沉积法制备硅基氧化石墨烯样品,然后用高温热还原的方法得到不同温度的硅基石墨烯薄膜样品。基于图形化界面软件Lab VIEW软件平台,开发了近场扫描微波显微镜两个测试模式的控制系统。最后,使用基于有限元法,对探针样品的电磁场模型进行研究。分析了不同探针靠近样品过程中,周围场能量的变化分布;及不同性质材料对场能量的变化趋势。本文采用带有探针的λ/4的同轴谐振腔的近场扫描微波显微镜系统,以其微波能量在探针近场区域具有高灵敏度和高空间分辨率的特点,利用薄膜样品在探针近场区域引起的电磁反应,无损高效地测量了微纳米结构薄膜的高频电磁特性。
【关键词】:近场扫描微波显微镜 电磁特性 石墨烯薄膜
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:O484
【目录】:
- 摘要5-6
- ABSTRACT6-10
- 第一章 绪论10-14
- 1.1 课题立项背景10-11
- 1.2 NSMM系统的基本描述11
- 1.3 高频介电特性测量方法11-13
- 1.3.1 传输法12
- 1.3.2 谐振腔法12-13
- 1.4 本课题主要工作和创新点13-14
- 第二章 NSMM系统的定量分析理论14-29
- 2.1 材料复介电常数的介绍14-15
- 2.2 同轴谐振腔15-22
- 2.2.1 同轴线中的场15-18
- 2.2.2 同轴线尺寸选择规则18-19
- 2.2.3 同轴谐振腔结构及其主要特性参数19-22
- 2.3 同轴谐振腔的仿真分析22-25
- 2.4 谐振腔材料微扰理论25-26
- 2.5 NSMM系统中定量测量理论26-28
- 2.5.1 介电常数的定量测量26-27
- 2.5.2 电导率的定量测量27-28
- 2.6 本章小结28-29
- 第三章 石墨烯薄膜的沉积法制备与表征29-34
- 3.1 石墨烯薄膜制备29-30
- 3.1.1 硅片预处理29-30
- 3.1.2 沉积法制备石墨烯薄膜30
- 3.2 石墨烯的表征方法30-32
- 3.2.1 扫描电镜法30-31
- 3.2.2 傅立叶红外光谱法31
- 3.2.3 原子力显微镜法31
- 3.2.4 光学显微镜法31-32
- 3.3 硅基石墨烯样品32-33
- 3.4 本章小结33-34
- 第四章 近场扫描微波显微镜34-51
- 4.1 近场扫描微波显微镜的硬件部分34-37
- 4.1.1 谐振腔34-35
- 4.1.2 探针35-37
- 4.1.3 矢量网络分析仪37
- 4.1.4 位移部分37
- 4.1.5 其它部件37
- 4.2 近场扫描微波显微镜系统的软件部分37-50
- 4.2.1 Lab View编程介绍37-40
- 4.2.2 NSMM系统软件结构框架40-50
- 4.3 本章小结50-51
- 第五章 石墨烯薄膜微波近场扫描测试实验51-64
- 5.1 NSMM系统测试51-54
- 5.1.1 单点测试51-52
- 5.1.2 面测试52-53
- 5.1.3 石墨烯薄膜的近场测量53-54
- 5.2 四探针法测量54-56
- 5.3 探针样品仿真模型56-57
- 5.3.1 COMSOL Multiphysics简介56
- 5.3.2 探针样品模型56-57
- 5.4 介质特性的定量分析57-60
- 5.5 石墨烯的NSMM成像60-63
- 5.6 本章小结63-64
- 第六章 结论与展望64-66
- 致谢66-67
- 参考文献67-70
- 附图 170-71
- 附图 271-73
- 攻硕时期获得的研究成果73-74
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