低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

发布时间：2017-09-08 07:01

  本文关键词：低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

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【摘要】：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm~3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10~(17) cm~(-3),(002)和(102)面FWHM分别为245和316arcsec。随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降。
【作者单位】： 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【关键词】： 薄膜 p型GaN Delta掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积
【基金】：国家自然科学基金项目(61204011,11204009,6107026);国家自然科学基金重点基金项目(U103760) 北京市自然科学基金项目(4142005)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： 0引言GaN基材料应用于高功率、高温和高频电子器件以及高亮度发光二极管(LED),其研究发展面临的重要瓶颈是p型GaN掺杂的控制。仅对于LED来说,获得良好的欧姆接触、降低器件电压以及p型GaN层的成功制备都非常必要,良好的p型GaN层能够为有源层提供电子复合所需的足够高的空穴浓，

本文编号：812549